关于MOS驱动的问题

只看该作者 · 2013-7-24 09:50

请问大家一般MOS管的栅极驱动电流怎么计算，主要根据数据手册上的哪个参数计算。最近在做多个MOS管并联，怕前级驱动无法让多个MOS打开。前级驱动通过ULN2803集电极开路模式放大，ULN2803耐流最大500MA。

只看该作者 · 2013-7-24 11:57

MOS是电压控制的，貌似吸入电流很小吧，跟三极管不能等效处理

1万 · 2013-7-24 13:01

看Qg，再根据开关时间估算下即可

只看该作者 · 2013-7-24 22:55

做电源太理论了不一定就是最好的，看似mos管是压控元件，但实际上电流的大小还会影响开关的速度，比如nmos一般gs之间的电阻大小对mos管关时间的影响很大的

1万 · 2013-7-25 07:13

ULN2803 集电极开路驱动电路, 不适合于 MOSFET 的驱动. 别犹豫了, 赶快换专用的驱动电路.

只看该作者 · 2013-7-25 10:47

yytda 发表于 2013-7-24 11:57
MOS是电压控制的，貌似吸入电流很小吧，跟三极管不能等效处理

是的，但是在充电瞬间会有电流的，现在主要在做MOS并联，准备8个并联。所以要考虑驱动功率

只看该作者 · 2013-7-25 10:49

airwill 发表于 2013-7-25 07:13
ULN2803 集电极开路驱动电路, 不适合于 MOSFET 的驱动. 别犹豫了, 赶快换专用的驱动电路. ...

您好，请问为什么不适合MOS驱动能否解释一下，谢谢，ULN2003是集电极开路，我中间加高频变压器隔离。

只看该作者 · 2013-7-25 10:51

gcxzhz 发表于 2013-7-24 22:55
做电源太理论了不一定就是最好的，看似mos管是压控元件，但实际上电流的大小还会影响开关的速度，比如nmo ...

是的，我们做不对称半桥，现在多个MOS并联，如果驱动不足，会导致MOS不能完全导通，损耗可能会很大谢谢

只看该作者 · 2013-7-25 10:52

不亦心发表于 2013-7-24 13:01
看Qg，再根据开关时间估算下即可

恩目前用的就是这种方法谢谢

1万 · 2013-7-25 11:44

驱动 MOSFET. 是不行的. 一个方向的驱动能力是可以的, 另一个方向还是存在靠上拉电阻驱动, 速度太慢的问题.
隔离变压器也存在这个问题, 而且应该问题更严重. 当然我这是猜的. 具体得看驱动电路才能分析.

-836 · 2013-7-25 13:33

LZ几个MOS并联哈？主要看Qg，不过Cds对于多个MOS并联来说，影响也比较大（米勒平台的影响）。

只看该作者 · 2013-7-25 15:11

zhouyibjjtdx 发表于 2013-7-25 13:33
LZ几个MOS并联哈？主要看Qg，不过Cds对于多个MOS并联来说，影响也比较大（米勒平台的影响）。 ...

是的啊我们之前买过柯蒂斯的控制器，它管子的选型对Qg和Cds考虑很多，我们准备8个并联，第一次做，请问一下，有什么方向性的指点吗，谢谢

只看该作者 · 2013-7-25 15:25

airwill 发表于 2013-7-25 11:44
驱动 MOSFET. 是不行的. 一个方向的驱动能力是可以的, 另一个方向还是存在靠上拉电阻驱动, 速度太慢的问题. ...

谢谢airwill,我贴个图给你看看啊肯定会存在延迟的问题，但毕竟是高频变压器，另外ULN的开通以及关断延迟1US以内。另外一个问题您讲的驱动能力不足的问题，ULN本身是集电极开路输出，我个人理解必须加上拉。谢谢，我发个图谢谢

-836 · 2013-7-25 15:33

xfx1989 发表于 2013-7-25 15:11
是的啊我们之前买过柯蒂斯的控制器，它管子的选型对Qg和Cds考虑很多，我们准备8个并联，第一次做， ...

除了MOS管的选择，驱动能力要保证，栅极电阻选择要合适，一些加速电路也可以预留哈，layout方面也要注意哈，栅极电阻尽量靠近栅极，走线尽量短，粗，等等。。。
做好了分享一下心得哈~~

只看该作者 · 2013-7-25 15:34

zhouyibjjtdx 发表于 2013-7-25 15:33
除了MOS管的选择，驱动能力要保证，栅极电阻选择要合适，一些加速电路也可以预留哈，layout方面也要注意 ...

恩好的谢谢谢谢

只看该作者 · 2013-7-25 15:58

学习了啊

1万 · 2013-7-25 16:56

居然说不通你, 唉, 那就让你自己走点弯路吧.
或许我的经验未必是正确的真理. 你可能会有更好的结果.
有好消息, 记得告诉我

只看该作者 · 2013-7-25 23:05

1 .首先要确定的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动其实就是对MOS的门级电容的充放电，这就要考虑你有个MOS并联，门级电容有多大？
MOS的Rg 有多大，加上驱动回路寄生电感等，其实就是一个LRC串联回路。

2. 驱动能力用个简化的公式来算就是I=C*Du/Dt，MOS的门级电容先确定，再来考虑你准备要几伏的门级电压，然后就是这个电压建立和消除的时间，也就牵涉到MOS的开通关断速度，这会直接影响到功管的损耗及其它问题，如应力等。这几个想好了，所要的驱动电流也就出来了。

只看该作者 · 2013-7-26 09:48

airwill 发表于 2013-7-25 16:56
居然说不通你, 唉, 那就让你自己走点弯路吧.
或许我的经验未必是正确的真理. 你可能会有更好的结果.
有好 ...

谢谢！呵呵！我们之前做的小电机的驱动大约300W的电机，用这种驱动还行，现在换大功率电机。我还想请教您一下，集电极开路，ULN最多500MA驱动8个并联的管子肯定不行，只能自己用三极管搭集电极开路驱动电路，我增大我的供电电源功率。我的驱动能力就能上去。另外一个变压器有延迟肯定的，请教前辈，一般这个延迟时间有多长呢，我的理解是这种变压器属于高频变压器，工作频率可以达到500K，而我的只需要6K的频率。EP13的高频变压器可能传输功率不足，现在也在想换，但是对于变压器传输功率这款不太了解。所以还没有结论。呵呵谢谢！现在还有一套IR2113驱动的方案。最高驱动电流2A但是没有隔离，如果加光耦隔离的话，我就没必要加2113啦，因为光耦完全可以实现电位转换的功能。第一次做没什么经验。谢谢啊！因为之前小电机用这种变压器，所以还是想试试啊呵呵

只看该作者 · 2013-7-26 09:49

rener 发表于 2013-7-25 23:05
1 .首先要确定的是你需要多少的驱动能力？要驱动的负载（一般可认为是功率管）有多少？以MOSFET为例，驱动 ...

谢谢！很有用

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