可控硅击穿问题

只看该作者 · 2013-7-30 21:08

最近做了一个双可控硅输出调加热丝功率的电路，测试的时候老师出现可控硅G极和A2输出极被击穿，门极防止误触发的电阻被烧坏。我是新手。好心的大虾帮忙解惑下。

1万 · 2013-8-4 08:06

这个电阻你去掉就可以了，电阻丝负载不需要防止误触发，误触发只能触发一个半周，而且电阻丝工作一个半周也不会有任何影响的。如果可控硅是低灵敏度的，本身就可以不要防止误触发。

只看该作者 · 2013-8-5 23:06

NE5532 发表于 2013-8-4 08:06
这个电阻你去掉就可以了，电阻丝负载不需要防止误触发，误触发只能触发一个半周，而且电阻丝工作一个半周也 ...

谢谢版主回复，前几天已经将这个470欧姆的电阻去掉，已经测试几天并没有发现可控硅再击穿的问题。
同时有个疑问想请教下，这个电阻是需要靠近可控硅处吗？以前的前辈也都是用这个电路并没有发现问题，不同在于我可控硅散热问题，将可控硅单独做一个板子（链接的只有进线和出线），可控硅板子上引出2条控制线A2和G端到另外的控制板，长度大约20CM左右。RC吸收电路和其他控制电路都在控制板上。
能否分析出来时什么原因烧电阻的，是否是先击穿可控硅？
链接到可控硅控制的L端是直接在控制板上的电源端L取的（没有从可控硅输入端连线），是否这个也会产生影响？

只看该作者 · 2013-8-6 08:34

楼主会不会把R2和R5链接在了A2和G之间了

1万 · 2013-8-6 10:18

烧不见得是这里烧，要考虑是否过热和浪涌电压的问题，建议加MOV吸收浪涌电压，另外触发电流不足，可控硅“慢吞吞”地导通也会导致发热和烧毁。50Hz电路属于低频，RC吸收电路远离可控硅没有啥问题，但是门极的引线要尽量短，以免引入干扰。楼主测一下工作时候可控硅的温升多少。

只看该作者 · 2013-8-6 22:19

Regsen 发表于 2013-8-6 08:34
楼主会不会把R2和R5链接在了A2和G之间了

如果接在A2和G间会直接导通可控硅不受控制，这个可以排除。

只看该作者 · 2013-8-6 22:22

NE5532 发表于 2013-8-6 10:18
烧不见得是这里烧，要考虑是否过热和浪涌电压的问题，建议加MOV吸收浪涌电压，另外触发电流不足，可控硅“ ...

温升没有问题，由于是热水器用的是水冷的，击穿后我有用手触摸过温度不高。应该不是温度过高击穿的原因，如果是温度过高击穿，应该也会有些异味，我想了想最大的可能应该是门极引线的问题。之前的封装可控硅没有这问题，有可能是TO-220封装的性能有些不一样。

只看该作者 · 2013-8-6 22:30

NE5532 发表于 2013-8-6 10:18
烧不见得是这里烧，要考虑是否过热和浪涌电压的问题，建议加MOV吸收浪涌电压，另外触发电流不足，可控硅“ ...

在可控硅的输入和输出加过561的压敏电阻，工作了大半天出现了同样的问题。请教过一个老教授给了个处理意见将470的电阻移动到靠近可控硅处。目前还没有试验。

1万 · 2013-8-6 22:39

lsc060303026 发表于 2013-8-6 22:30
在可控硅的输入和输出加过561的压敏电阻，工作了大半天出现了同样的问题。请教过一个老教授给了个处理意 ...

带着470电阻做的实验？？

1万 · 2013-8-7 00:10

本帖最后由 oldzhang 于 2013-8-7 00:16 编辑

前几天已经将这个470欧姆的电阻去掉，已经测试几天并没有发现可控硅再击穿的问题。
同时有个疑问想请教下，这个电阻是需要靠近可控硅处吗？以前的前辈也都是用这个电路并没有发现问题，不同在于我可控硅散热问题，将可控硅单独做一个板子（链接的只有进线和出线），可控硅板子上引出2条控制线A2和G端到另外的控制板，长度大约20CM左右。RC吸收电路和其他控制电路都在控制板上。

问题有可能出在20CM引线上，加热电热丝时的瞬间导通的大电流在20CM引线上建立的电压，通过470欧姆电阻加到G上烧的，所以去掉470后才不烧了，那个老教授说得对，把470欧姆接在管子上，不能接在20CM以外。这个470是在触发前防止误触发的，你的大电流是在触发后产生的，有的电热丝冷阻小，热阻大，刚接通时电流大，只要半个周期的大电流在20CM线上建立的压降，就会烧G.