MOSFET关断过程中处于什么区

发表于 2013-7-31 22:23

功率MOSFET（N沟道增强型），外接感性负载上拉到电源，作为低边驱动。

当MOSFET关断时，感性负载产生的感应电动势将MOSFET内部钳位二极管（假设钳位电压为70V）击穿，这时D极的电压会钳位在70V。

请问在钳位过程中：
1）MOSFET工作在什么区域。可变电阻区还是恒流区？
2）Vgs是如何变化的？
3）感性负载上的能量主要释放在哪里了？

发表于 2013-8-2 22:11

自己看了看资料，不知道了解对不对，请大家指教。
1）MOSFET关闭时，Vgs降低，MOSFET关闭。这时感性负载产生的感应电动势把MOSFET内部的箝位二极管击穿，抬升栅极电压，将MOSFET再次打开，此时MOSFET工作在横流区。
2）Vgs在箝位的这段时间里，好像是保持在Vth的电压，基本没变。
3）感性负载上的能量主要释放在MOSFET的沟道上了，箝位二极管上有一小部分。

发表于 2013-8-3 00:17

mos工作在击穿区!!!木有吸收嘛？

发表于 2013-8-3 10:54

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MOSFET关断过程中处于什么区

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