ds18b20

只看该作者 · 2013-8-9 18:02

#include <reg52.h>
　　#include <intrins.h>

　　#define uchar unsigned char
　　#define uint unsigned int

　　sbit DQ = P2^2;                      //数据口define interface
　　sbit dula = P2^6;                   //数码管段选
　　sbit wela = P2^7;                   //数码管位选

　　uint temp;                         //温度值 variable of temperature

　　//不带小数点
　　unsigned char code table[] = {0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,
　　0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x71};
　　//带小数点
　　unsigned char code table1[] = {0xbf,0x86,0xdb,0xcf,0xe6,0xed,0xfd,0x87,0xff,0xef};

　　/*************精确延时函数*****************/
　　void delay(unsigned char i)
　　{
　　while(--i);
　　}
　　/******************************************
　　此延时函数针对的是12Mhz的晶振
　　delay(0):延时518us 误差:518-2*256=6
　　delay(1):延时7us （原帖写"5us"是错的）
　　delay(10):延时25us 误差:25-20=5
　　delay(20):延时45us 误差:45-40=5
　　delay(100):延时205us 误差:205-200=5
　　delay(200):延时405us 误差:405-400=5
　　*******************************************/

　　/*****************DS18B20******************/

　　void Init_Ds18b20(void)    //DS18B20初始化send reset and initialization command
　　{
　　DQ = 1;                   //DQ复位,不要也可行。
　　delay(1);                //稍做延时
　　DQ = 0;                   //单片机拉低总线
　　delay(250);             //精确延时，维持至少480us
　　DQ = 1;                   //释放总线，即拉高了总线
　　delay(100);             //此处延时有足够,确保能让DS18B20发出存在脉冲。
　　}

　　uchar Read_One_Byte()    //读取一个字节的数据read a byte date
　　//读数据时,数据以字节的最低有效位先从总线移出
　　{
　　uchar i = 0;
　　uchar dat = 0;
　　for(i=8;i>0;i--)
　　{
　　DQ = 0;                //将总线拉低，要在1us之后释放总线
　　//单片机要在此下降沿后的15us内读数据才会有效。
　　_nop_();                //至少维持了1us,表示读时序开始
　　dat >>= 1;             //让从总线上读到的位数据，依次从高位移动到低位。
　　DQ = 1;                //释放总线，此后DS18B20会控制总线,把数据传输到总线上
　　delay(1);                //延时7us,此处参照推荐的读时序图，尽量把控制器采样时间放到读时序后的15us内的最后部分
　　if(DQ)                //控制器进行采样
　　{
　　dat |= 0x80;          //若总线为1,即DQ为1,那就把dat的最高位置1;若为0,则不进行处理,保持为0
　　}
　　delay(10);             //此延时不能少，确保读时序的长度60us。
　　}
　　return (dat);
　　}

　　void Write_One_Byte(uchar dat)
　　{
　　uchar i = 0;
　　for(i=8;i>0;i--)
　　{
　　DQ = 0;                      //拉低总线
　　_nop_();                      //至少维持了1us,表示写时序(包括写0时序或写1时序)开始
　　DQ = dat&0x01;                //从字节的最低位开始传输
　　//指令dat的最低位赋予给总线,必须在拉低总线后的15us内,
　　//因为15us后DS18B20会对总线采样。
　　delay(10);                   //必须让写时序持续至少60us
　　DQ = 1;                      //写完后,必须释放总线,
　　dat >>= 1;
　　delay(1);
　　}
　　}

　　uint Get_Tmp()                //获取温度get the temperature
　　{
　　float tt;
　　uchar a,b;
　　Init_Ds18b20();             //初始化
　　Write_One_Byte(0xcc);       //忽略ROM指令
　　Write_One_Byte(0x44);       //温度转换指令
　　Init_Ds18b20();                //初始化
　　Write_One_Byte(0xcc);       //忽略ROM指令
　　Write_One_Byte(0xbe);       //读暂存器指令
　　a = Read_One_Byte();          //读取到的第一个字节为温度LSB
　　b = Read_One_Byte();          //读取到的第一个字节为温度MSB
　　temp = b;                   //先把高八位有效数据赋于temp
　　temp <<= 8;                   //把以上8位数据从temp低八位移到高八位
　　temp = temp|a;             //两字节合成一个整型变量
　　tt = temp*0.0625;             //得到真实十进制温度值
　　//因为DS18B20可以精确到0.0625度
　　//所以读回数据的最低位代表的是0.0625度
　　temp = tt*10+0.5;             //放大十倍
　　//这样做的目的将小数点后第一位也转换为可显示数字
　　//同时进行一个四舍五入操作。
　　return temp;
　　}

　　/****************数码码动态显示函数**************/

　　void Display(uint temp) //显示程序
　　{
　　uchar A1,A2,A3;
　　A1 = temp/100; //百位
　　A2 = temp%100/10; //十位
　　A3 = temp%10; //个位

　　dula = 0;
　　P0 = table[A1]; //显示百位
　　dula = 1;    //打开段选,对应74573的锁存位,高电平不锁存
　　dula = 0;

　　wela = 0;
　　P0 = 0x7e;
　　wela = 1;    //打开位选
　　wela = 0;
　　delay(0);

　　dula = 0;
　　P0 = table1[A2]; //显示十位,使用的是有小数点的数组(因为temp值扩大了10倍,虽然是十位,实际为个位)
　　dula = 1;
　　dula = 0;

　　wela = 0;
　　P0 = 0x7d;
　　wela = 1;
　　wela = 0;
　　delay(0);

　　P0 = table[A3]; //显示个位
　　dula = 1;
　　dula = 0;

　　P0 = 0x7b;
　　wela = 1;
　　wela = 0;
　　delay(0);
　　}

　　void main()
　　{
　　while(1)
　　{
　　Display(Get_Tmp());
　　}
　　}