请教存储器的用法问题

发表于 2009-1-13 17:44

一般单片机或FPGA外接存储器无非就是一些 nand flash、nor flash、sram、<br />sdram和ddr sdram。但是我发现一般都是nand flash、nor flash、sram共用数据总线和地址总线。但极少发现sdram或ddr sdram共用数据总线的。大伙能告诉我为什么吗？难道因为sdram的频率高而影响信号的完整性。还是因为sdram的读写时序与nand flash、nor flash、sram等差别太大？虽然sdram与 flash和sram的读写时序有很大的差别，但是他们都有片选信号CS阿？这样在对sdram读写操作时不会影响到flash和sram的。有些单片机内部集成了sdram控制器，有独立的数据总线和地址总线，但是我见用fpga来控制sdram时，一般也不和sram、flash共用数据总线，谁能告诉我为什么？

发表于 2009-1-13 18:10

再请问sdram和ddr sdram能共用数据总线和地址总线吗？我用FPGA来控制，IO口有点紧张，所以想共用数据总线和地址总线。哪位大侠能告诉我一声，谢谢！

发表于 2009-1-15 20:57

例如你想从广东去北京,你想骑一段自行车,然后坐一段飞机,然后又骑一段自行车,然后又坐一段飞机……你认为飞机愿意等你么？<br />假设你FLASH操作频率为10MHz，SDRAM操作频率为100MHz，你一个FLASH操作要耽搁10个SDRAM操作，你愿意么？<br />但是很显然有些ARM上面，NOR FLASH和SDRAM是共用数据线和地址线的，原因很简单：在系统启动的瞬间，ARM的BOOTLOADER会把所有NOR FLASH中的内容全部COPY到SDRAM中，系统启动完毕，ARM内核对NOR FLASH几乎是不会再访问的了，所以不存在此问题。

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