H 桥放电回路，求专家解答！！！

只看该作者 · 2013-8-13 14:47

本帖最后由 braverw 于 2013-8-14 10:45 编辑

小弟的一个项目，需用电容激励电磁机构，电流50A，电压110VDC，脉宽100ms，通过H桥控制电流方向。电路MOSFET截止后，线圈会产生很强的反电动势。
问题：
1、用二极管+ 限流电阻作为放电回路，是否可行？为了抑制放电时的电流冲击。
2、线圈放电时，相当于对电容充电，是否会对电容产生不利影响。尤其是反向电动势会很高，肯定会超过电容器的耐压值，会不会击穿？

小弟第一次做这样的项目，还请有经验的大虾赐教！！有没有更好的放电回路方式，不经过电容的回路！！跪求啊...

4万 · 2013-8-13 14:54

图呢 ????

1万 · 2013-8-13 15:37

R1R2有理由么，D1~4是为续流（称放电不妥），于C1没有不利影响

只看该作者 · 2013-8-13 16:16

本帖最后由 braverw 于 2013-8-13 16:17 编辑

Lgz2006 发表于 2013-8-13 15:37
R1R2有理由么，D1~4是为续流（称放电不妥），于C1没有不利影响

R1 R2抑制放电时的电流冲击，不知理解得对不对
因为看到有续流回路里串联电阻的设计

2万 · 2013-8-13 16:44

找找电机刹车的电路也许有用

只看该作者 · 2013-8-13 17:09

电路MOSFET截止后，以PWM的方式，同时导通两个下桥。

只看该作者 · 2013-8-14 10:42

草民发表于 2013-8-13 17:09
电路MOSFET截止后，以PWM的方式，同时导通两个下桥。

这个控制起来有点复杂吧

3万 · 2013-8-14 11:12

功率MOS管内部自带二极管，不必另外设置。图中四支二极管和两支电阻叫做画蛇添足。
MOS管内部的寄生二极管频率特性不好，但若周期为100ms，那么一点问题也没有。
电机电感放电(续流)，不会产生什么“电流冲击”。电感本来就是维持其中电流不变，对电容充电的电流绝对不会超过全桥某对角线上MOS关断前电感中的电流。
电容充电是否会被击穿，端视充电能量。电感中储存能量有限(绝对不会超过电源在一个周期内供给电感的能量)，电容两端电压上升也很有限，通常只有百分之几。

“有没有更好的放电回路方式，不经过电容的回路”
这就是最好的，电感储能回到电容，省电，发热少。

为防止分布参数影响，可以考虑在Q1Q2源极之间并联一支小电容。该电容数值绝不能大，否则将产生“电流冲击”。并联一支压敏电阻亦有保护作用。