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衬底是针对晶圆来说的，晶圆厂生产的圆片分N型P型，又分别分为〈111〉<100>等晶向，不懂的去看固体物理书。针对不同的集成电路制造工艺可以（比如cmos和ttl）使用不同类型的晶圆，这是由电路结构和工作原理决定的，你问我我也说不清，还是去看书。<br />至于你问的： 请问什么是nwell和P substrate？？<br />应先说P substrate，因为衬底是整个ic design的物理基础，P substrate就是P型掺杂的晶片，一般是P-，通常参杂的是錋源。这是在流片之前就已经定下来的了。<br />至于你说的N well，就是N阱。<br />一般CMOS集成电路分为单阱，双阱和准双阱。<br />不管何种工艺，在P substrate上必然是要做N well的了，因为要形成反型和电隔离、反偏等p型管是必须做在N well中的，除非你做的是NMOS工艺，这个先不提。<br />同理，又产生了N阱，这是由流片厂商决定的，因此在决定流片前就要且定好你的设计，是采用何种工艺。<br />有些厂商用的是双阱，有些是准双阱，通常情况下，准双阱中的N阱是根据P阱的层取反加上一定的bais修正值就可以达到要求。 <br />---------------------<br />以上是本人根据自己的经验随便写的，有错误的还希望前辈指教。<br />
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