请问什么是nwell和P substrate？？

只看该作者 · 2007-4-5 11:01

请问什么是nwell和P substrate？？
在CMOS的IC设计，如NPN三极管中经常看到请问什么是nwell和P substrate的说法，请问倒底指的是什么，能详细介绍一下吗，谢谢

只看该作者 · 2007-4-5 20:36

答：
通常，我们都用P型基体晶圆在制作IC。对于普通的CMOS工艺而言，NMOS 管可以直接做在P型衬底的有源区内，而PMOS管则必须做在N Well的有源区内。CMOS工艺还可分类为单阱工艺和双阱工艺，前提都是基于P型衬底。
三极管的实现，也是在阱中通过适当的PN结偏置所形成。

只看该作者 · 2007-4-9 14:07

请问什么是nwell和P substrate，我还是不太明白

只看该作者 · 2007-4-13 02:08

kelenma说的很清楚啊，楼主需要看些基本的MOSFET structure, 找一本工艺或者layout的书看看就行了。否则说了你也难以理解。

只看该作者 · 2007-4-16 20:25

N well就是N阱
P substrate就是P 衬底

阱和衬底不懂看书吧

只看该作者 · 2007-5-4 08:34

衬底是针对晶圆来说的，晶圆厂生产的圆片分N型P型，又分别分为〈111〉<100>等晶向，不懂的去看固体物理书。针对不同的集成电路制造工艺可以（比如cmos和ttl）使用不同类型的晶圆，这是由电路结构和工作原理决定的，你问我我也说不清，还是去看书。
至于你问的：请问什么是nwell和P substrate？？
应先说P substrate，因为衬底是整个ic design的物理基础，P substrate就是P型掺杂的晶片，一般是P-，通常参杂的是錋源。这是在流片之前就已经定下来的了。
至于你说的N well，就是N阱。
一般CMOS集成电路分为单阱，双阱和准双阱。
不管何种工艺，在P substrate上必然是要做N well的了，因为要形成反型和电隔离、反偏等p型管是必须做在N well中的，除非你做的是NMOS工艺，这个先不提。
同理，又产生了N阱，这是由流片厂商决定的，因此在决定流片前就要且定好你的设计，是采用何种工艺。
有些厂商用的是双阱，有些是准双阱，通常情况下，准双阱中的N阱是根据P阱的层取反加上一定的bais修正值就可以达到要求。
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以上是本人根据自己的经验随便写的，有错误的还希望前辈指教。

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kelenma说的很清楚啊

re

给你说说吧，不全面