请问什么是nwell和P substrate??

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kelenma| | 2007-4-5 20:36 | 显示全部楼层

回复主题:请问什么是nwell和P substrate??

答:
    通常,我们都用P型基体晶圆在制作IC。对于普通的CMOS工艺而言,NMOS 管可以直接做在P型衬底的有源区内,而PMOS管则必须做在N Well的有源区内。CMOS工艺还可分类为单阱工艺和双阱工艺,前提都是基于P型衬底。
    三极管的实现,也是在阱中通过适当的PN结偏置所形成。

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debugme|  楼主 | 2007-4-9 14:07 | 显示全部楼层

请问什么是nwell和P substrate,我还是不太明白

请问什么是nwell和P substrate,我还是不太明白

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chargepump| | 2007-4-13 02:08 | 显示全部楼层

kelenma说的很清楚啊

kelenma说的很清楚啊,楼主需要看些基本的MOSFET structure, 找一本工艺或者layout的书看看就行了。否则说了你也难以理解。

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superyx23| | 2007-4-16 20:25 | 显示全部楼层

re

N well就是N阱
P substrate就是P 衬底

阱和衬底不懂看书吧

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解放| | 2007-5-4 08:34 | 显示全部楼层

给你说说吧,不全面

衬底是针对晶圆来说的,晶圆厂生产的圆片分N型P型,又分别分为〈111〉<100>等晶向,不懂的去看固体物理书。针对不同的集成电路制造工艺可以(比如cmos和ttl)使用不同类型的晶圆,这是由电路结构和工作原理决定的,你问我我也说不清,还是去看书。
至于你问的: 请问什么是nwell和P substrate??
应先说P substrate,因为衬底是整个ic design的物理基础,P substrate就是P型掺杂的晶片,一般是P-,通常参杂的是錋源。这是在流片之前就已经定下来的了。
至于你说的N well,就是N阱。
一般CMOS集成电路分为单阱,双阱和准双阱。
不管何种工艺,在P substrate上必然是要做N well的了,因为要形成反型和电隔离、反偏等p型管是必须做在N well中的,除非你做的是NMOS工艺,这个先不提。
同理,又产生了N阱,这是由流片厂商决定的,因此在决定流片前就要且定好你的设计,是采用何种工艺。
有些厂商用的是双阱,有些是准双阱,通常情况下,准双阱中的N阱是根据P阱的层取反加上一定的bais修正值就可以达到要求。 
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以上是本人根据自己的经验随便写的,有错误的还希望前辈指教。

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