疑问：开漏模式

发表于 2013-8-15 23:10

新唐的开漏模式，和准双向模式有什么区别？

我个人的理解准双向源于51，指上拉一个10K左右的电阻，导致高电平和低电平时候的驱动能力不一样

而开漏是上拉电阻无限大，

不过，实践了一下，发现新唐的M0，开漏时的上拉电阻似乎不是无限大，而是不一般大，不过希望新唐方面说明一下，到底开漏时候上拉的电阻值实际是多少？

发表于 2013-8-16 08:23

open drain mode,只有nmos，拉地比較有力。
拉high的速度，要看外面pull high電阻及板子，電線上電容。

发表于 2013-8-16 20:02

楼上说的头头是道，不知是否自己实践所得，还是只看资料的呢

发表于 2013-8-17 21:14

貌似准双向模式时驱动能力好似不是很够，我驱动24LO1的时候试过，要实时修改IO输入输出模式来驱动。

发表于 2013-8-18 01:12

我也一直搞不懂，关注一下

发表于 2013-8-20 09:48

open drain 输出高时是高阻，输入端接10k 100k上拉都是没有问题的，信不信由你

发表于 2013-12-21 23:00

准双向源于51，指上拉一个10K左右的电阻，导致高电平和低电平时候的驱动能力不一样

而开漏是上拉电阻无限大，

发表于 2013-12-21 23:00

貌似楼主的理解也不是很准确

发表于 2017-2-20 20:04

这个我也理解的很差，不知道准双向如何用。

发表于 2017-2-20 20:33

需要看个例程才好理解怎么用。大家基本上是不关心硬件怎么实现的。

发表于 2017-2-21 19:27

不过官方的例程一般都不会用这个开漏模式的吧。

[技术问答] 疑问：开漏模式

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