关于电源，衬底噪声抑制能力的问题。

发表于 2007-8-29 15:23

为了提高电源抑制比，很多电路设计中都提到使用cascode结构，而提高衬底噪声抑制能力，则通常令接地的NMOS管取长L。请问他们的原理的是什么？是因为提高了电源或地到输出的阻抗所以能提高电路的噪声抑制能力吗？ 谢谢。

发表于 2007-9-17 13:31

这是我的理解: 假设你关心A点的PSR。A到Vdd AC电阻Rvdd，A到地AC电阻Rgnd。 如果你要减小对Vdd的敏感度，应该增加Rvdd,比如用cascode; 如果要减小对gnd的敏感度，应该增加Rgnd，比如大L,增加Rds。 另外注意line regulation 和 PSR类似，但要看DC电阻

发表于 2007-11-3 21:54

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发表于 2007-11-28 22:35

楼主，可以从以下几个方面去想想查找一些资料： 1.噪声是怎样产生的呢，有哪几种类型，它和哪些因素有关？怎样更好的抗noise呢？ 2.PSRR的定义，为什么这么定义呢？它和哪些因素有关？怎样提高呢？ 为什么cascode的会比较好呢，所谓的好从哪点去体现呢？ 其实去想这些问题，比直接得到答案更能学到一些东西。 know why？how？

发表于 2007-11-29 10:38

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关于电源，衬底噪声抑制能力的问题。

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re

谢谢。

Re

谨受教

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