请教：饱和区工作的mos管源端总电容大还是漏端总电容大？

发表于 2007-9-17 21:27

个人认为应该是漏端大，因为漏衬反偏电压大于源衬，所以漏端结电容应该更大。但是hspice仿真结果却是源端总电容大。百思不得其解。

发表于 2007-9-21 15:42

发表于 2007-10-1 18:36

源端大,拉扎为书上有.<br />饱和时,源端仍有反型粒子,漏段夹段.对于电容来说,源端大.

发表于 2007-10-4 00:30

https://bbs.21ic.com/upfiles/img/200710/200710402135945.jpg<br />其中Cdb为drain-body的Paracitic capacitance,而VDB为drain-body之间的voltage drop,对source-body之间的voltage drop也有相同形式的公式(源与漏是对称的)

请教：饱和区工作的mos管源端总电容大还是漏端总电容大？

相关帖子

什么电容啊？和衬底的电容？怎么又是总电容

看书

关于parasitic capacitance

浏览过的版块

技术新星奖章