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请教：饱和区工作的mos管源端总电容大还是漏端总电容大？

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楼主
wowbigwolf|  楼主 | 2007-9-17 21:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 饱和, 电容, Hspice, ic
个人认为应该是漏端大，因为漏衬反偏电压大于源衬，所以漏端结电容应该更大。但是hspice仿真结果却是源端总电容大。百思不得其解。

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沙发
superyx23| | 2007-9-21 15:42 | 只看该作者

什么电容啊？和衬底的电容？怎么又是总电容

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板凳
hustpoly| | 2007-10-1 18:36 | 只看该作者

看书

源端大,拉扎为书上有.
饱和时,源端仍有反型粒子,漏段夹段.对于电容来说,源端大.

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地板
anticrane| | 2007-10-4 00:30 | 只看该作者

关于parasitic capacitance

https://bbs.21ic.com/upfiles/img/200710/200710402135945.jpg
其中Cdb为drain-body的Paracitic capacitance,而VDB为drain-body之间的voltage drop,对source-body之间的voltage drop也有相同形式的公式(源与漏是对称的)

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