大牛们，求助关于全桥单桥臂总是导通问题

只看该作者 · 2013-8-22 22:04

各位大神们：小弟现在用PMOS和NMOS搭建H桥控有刷电机，如下图所示（只画出半桥）

，前端为专门驱动MOS的光耦HCPL-3180，高端Vcc接28V，Vee接15V，低端Vcc接15V，Vee接地。15V通过7815由28V转换得到。现在问题是半桥臂上电老是烧，所以排查原因，未给半桥臂通28V，（但前端光耦通电），测量A，B两点波形，如下图所示：

高端波形总是有个下冲的压降，怀疑是低端由0V变为15V时导致，下冲尖峰放大图如下：

请问各位大牛，如何能有效的去掉这个下冲尖峰啊？用过滤波电容，施密特触发器，D触发器，均不奏效。谢谢各位啦！

只看该作者 · 2013-8-23 08:43

MOS 驱动的光隔供电有问题。

只看该作者 · 2013-8-23 11:07

本帖最后由 zhaohe2001 于 2013-8-23 11:09 编辑

这mosfet栅极也不并个电阻啊？很容易受干扰误导通的
另外，下管增大栅极驱动电阻，减缓开通速度

只看该作者 · 2013-8-23 11:24

anjf163 发表于 2013-8-23 08:43
MOS 驱动的光隔供电有问题。

请大神具体指点一下，上端光隔还是下端问题呢？谢谢啦

只看该作者 · 2013-8-23 11:26

zhaohe2001 发表于 2013-8-23 11:07
这mosfet栅极也不并个电阻啊？很容易受干扰误导通的
另外，下管增大栅极驱动电阻，减缓开通速度 ...

对，您说的对，实际电路中并了一个，图中由于着急没画上。“下管增大栅极驱动电阻，减缓开通速度”？望具体指教一番，上管有这个问题吗？如果延缓，而上管没有，是不是说我虽然设置了死区，但这么一延缓，相位错开了，死区也没啥用了？

1万 · 2013-8-23 13:03

IRF4905的Ciss太大，
从波形上看应该是下管开通的时候，上管Cgd被突然拉低，栅极供电跟不上。
减缓下管开通速度可能会有帮助。

PS：最好上完整的驱动电路，包括参数

只看该作者 · 2013-8-23 13:38

本帖最后由 anjf163 于 2013-8-23 13:57 编辑

gongzhiwen 发表于 2013-8-23 11:24
请大神具体指点一下，上端光隔还是下端问题呢？谢谢啦

因为你使用的是 PMOS + NMOS 而你的的 MOS 驱动波形却是 NMOS + NMOS 的，所以上半臂出现了和下半臂同时导通的现象。将上半臂的驱动波形反向，会得到正确的波形。

电路还是有点问题。HCPL-3180 的参数似乎不能有效关闭上半臂 PMOS 管。

电压也不高。不如改用小功率 MOS 来驱动这两个 MOS 可靠性会更好些。

只看该作者 · 2013-8-23 16:51

上管用Pmos必然会存在这样的问题，如果减缓下管开通速度不能解决问题，建议最好用两个Nmos

只看该作者 · 2013-8-23 19:29

你好用半桥驱动芯片（IR2104）啊内部自带死区时间用光耦驱动 ir2104即可单路输出

只看该作者 · 2013-8-23 19:30

用两个 nmos构成半桥

只看该作者 · 2013-8-23 20:54

尖峰产生的原因应该是MOS管寄生电容造成的

只看该作者 · 2013-8-24 14:45

学习路过

只看该作者 · 2013-8-25 22:42

不亦心发表于 2013-8-23 13:03
IRF4905的Ciss太大，
从波形上看应该是下管开通的时候，上管Cgd被突然拉低，栅极供电跟不上。
减缓下管开通 ...

版主您好，分析的很有道理，MOS管的28V我暂时给断开了没接，这波形只是光耦输出的。现在是在怀疑15V从低变高时，是不是把28V拉下来了？

只看该作者 · 2013-8-25 22:45

anjf163 发表于 2013-8-23 13:38
因为你使用的是 PMOS + NMOS 而你的的 MOS 驱动波形却是 NMOS + NMOS 的，所以上半臂出现了和下半臂同时导 ...

谢谢，嗯，我的PWM波形是同向的，并且加死区的，给高端的PWM波形高电平要比下端的宽，避免同时导通。
我曾经在单桥臂PMOS和NMOS之间加一电机，测上管，能正常导通关断。“小功率MOS驱动两个MOS？”求大神指点

只看该作者 · 2013-8-25 22:47

zhaohe2001 发表于 2013-8-23 16:51
上管用Pmos必然会存在这样的问题，如果减缓下管开通速度不能解决问题，建议最好用两个Nmos ...

谢谢，您好，您有什么有效的方法能解决减缓下管开通速度问题么？求指点？用两个NMOS的话就得用自举电路来驱动上管了，不知道那样像IR21094之类的驱动芯片对于25KHz的频率能够满足？

只看该作者 · 2013-8-25 22:48

gcxzhz 发表于 2013-8-23 19:29
你好用半桥驱动芯片（IR2104）啊内部自带死区时间用光耦驱动 ir2104即可单路输出 ...

谢谢，您好。IR2104不知道能否满足25KHZ？

只看该作者 · 2013-8-25 22:49

gcxzhz 发表于 2013-8-23 19:30
用两个 nmos构成半桥

两个NMOS高端就得用自举方式了

只看该作者 · 2013-8-25 22:49

Schvian 发表于 2013-8-23 20:54
尖峰产生的原因应该是MOS管寄生电容造成的

您好，我暂时把给MOS管的28V给断开了，波形只是光耦输出的，

只看该作者 · 2013-8-26 00:28

本帖最后由 anjf163 于 2013-8-26 00:30 编辑

gongzhiwen 发表于 2013-8-25 22:45
谢谢，嗯，我的PWM波形是同向的，并且加死区的，给高端的PWM波形高电平要比下端的宽，避免同时导通。
我 ...

你的波形看出来了，加有死区。HCPL3180 在带负载 100mA 时，驱动输出电压是 VCC - 4V。可以用示波器看下，IRF4905 是否能有效关闭。
给你推荐个芯片。我一般在类似低压 MOS 半桥驱动时会用 ST 的 L6388E。可靠、经济、简单。结构是 NMOS + NMOS 半桥。有利于电气性能的一致性。像这样的低压驱动半桥，不需要隔离的。

只看该作者 · 2013-8-26 00:38

本帖最后由 anjf163 于 2013-8-26 00:41 编辑

L6388E 和 IR2104 是类似的，电荷泵式悬浮驱动。比较而言 L6388E 的灌电流比 IR2104 大一倍。驱动速度更快，且内置自举二极管。
这两个芯片都满足你对速度的需求。

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