愿更多的做LED的朋友交流和学习

发表于 2013-8-23 10:27

还是我自己发发工艺的问题吧，愿更多的做LED的朋友交流和学习

发表于 2013-8-23 10:37

每天发一个技术讨论帖

发表于 2013-8-23 19:43

　　LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。

发表于 2013-8-24 08:52

zh113214 发表于 2013-8-23 19:43
　　LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心 ...

最明显的特征应该是单向导通，反向截止

发表于 2013-8-29 15:27

发表于 2013-8-30 11:29

008ming 发表于 2013-8-29 15:27

尽量了

发表于 2013-9-4 21:39

期待老师的佳作，工厂是做直插LED的，老师把你QQ发过来一下，有事情也好请教

发表于 2013-9-5 08:50

YHMGD 发表于 2013-9-4 21:39
期待老师的佳作，工厂是做直插LED的，老师把你QQ发过来一下，有事情也好请教 ...

已经发了，请添加

[LED光源] 愿更多的做LED的朋友交流和学习

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