请教：反相器MOS管阻抗问题

只看该作者 · 2007-11-1 13:04

哎，今天刚上集成电路设计
一个地方搞不懂
下面两个NMOS管都是增强型（没画好）
书上说负载管（Q1）的阻抗一般是倒向管（Q2）阻抗的4～5倍
从而导致对电容的充放电时间相差4-5倍

问题是为什么阻抗要保持4～5倍呢
问别人，有人说是输入高电平时，利用阻抗比输出低电平
可是问题是，即使阻抗一样，也要输出低电平
因为通过负载管和倒向管的电流一样
一旦输出高电平必然使负载管道Vgs和Vds明显都比倒向管道少
电流也就远远低于倒向管
那么电流也就不平衡了

各位大侠指点一下

只看该作者 · 2007-11-2 19:36

其实你完全可以不用想得这样复杂，把Q1和Q2等价成两个电阻，如果Q1的阻值比较小，打个比方比如RQ1=RQ2，那么即使VIN为1时Q2导通，那么VOUT的最大值也不过为1/2VCC，达不到逻辑0的电平要求。

只看该作者 · 2007-11-3 20:44

我有时候是有点钻牛角尖
应该是这样

只看该作者 · 2007-12-18 21:30

看作电流比较更好理解点：下面为开关管，高电平开启，电流大于上面的管子，从输出抽电流，拉到地，所以上面管子的等效阻抗必须大。反之只有上面的电流送出，拉至高电平。。。。

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谢谢楼上

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