哎，今天刚上集成电路设计<br />一个地方搞不懂<br />下面两个NMOS管都是增强型（没画好）<br />书上说负载管（Q1）的阻抗一般是倒向管（Q2）阻抗的4～5倍<br />从而导致对电容的充放电时间相差4-5倍<br /><br />问题是为什么阻抗要保持4～5倍呢<br />问别人，有人说是输入高电平时，利用阻抗比输出低电平<br />可是问题是，即使阻抗一样，也要输出低电平<br />因为通过负载管和倒向管的电流一样<br />一旦输出高电平必然使负载管道Vgs和Vds明显都比倒向管道少<br />电流也就远远低于倒向管<br />那么电流也就不平衡了<br /><br />各位大侠指点一下 |
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