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buck电路的效率问题,求助大神!!!

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599126716|  楼主 | 2013-8-23 20:51 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
lyjian| | 2013-8-23 21:13 | 只看该作者
1、驱动能力太差,MOS开关速度太慢
2、VGS电压超出规格
3、电感太大,RDC损耗大。

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599126716|  楼主 | 2013-8-23 23:36 | 只看该作者
lyjian 发表于 2013-8-23 21:13
1、驱动能力太差,MOS开关速度太慢
2、VGS电压超出规格
3、电感太大,RDC损耗大。 ...

前辈,请问应该怎么驱动才比较合适呢?

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鸟鸟| | 2013-8-24 08:04 | 只看该作者

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jjeemm77 2013-8-24 10:22 回复TA
把两个电阻对调置换、还象那回事!… 
5
鸟鸟| | 2013-8-24 08:06 | 只看该作者

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jjeemm77 2013-8-24 10:19 回复TA
R3的阻值有点怪!… 
6
jjeemm77| | 2013-8-24 10:17 | 只看该作者
嘿嘿!…我也不知道!…

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7
NE5532| | 2013-8-24 18:57 | 只看该作者
1.你用1k上拉拉MOS驱动,可能变沿确实不够,最好用MOS驱动器,建议测波形来看。
2.把电感的照片发上来悄悄呢,别饱和了。

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gcxzhz| | 2013-8-24 23:16 | 只看该作者
本帖最后由 gcxzhz 于 2013-8-24 23:18 编辑

1测试mos管后面的波形  看是否正常(mos发热)
2 这个电路本来设计的就不是太好,三极管处于开关状态的时候 vgs可能已经超出了mos的限定值(mos发热 三极管发热)如果非要用这种电路可以在r2下面在串接一个电阻,在r2上并接一个稳压二极管(保护mos),这两个元件的值自己计算吧
3 效率肯定低 mos关的时候基本不损耗 ,mos开的时候 24v直接加载在电阻两端 耗电 测试时效率肯定低 (此处有个矛盾:r2小了开关速度可以加快,功耗增加了,反之。。。 取个中间值还是可以的)  你去测 占空比高时 r2 发热严重

4    最好搞个mos管的驱动 如ir2113等 高低侧驱动 用高侧驱动 用nmos 。频率搞个100k不是问题 线性度比较好 ,效率应该在80%以上

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599126716|  楼主 | 2013-8-25 00:40 | 只看该作者
本帖最后由 599126716 于 2013-8-25 00:45 编辑
NE5532 发表于 2013-8-24 18:57
1.你用1k上拉拉MOS驱动,可能变沿确实不够,最好用MOS驱动器,建议测波形来看。
2.把电感的照片发上来悄悄 ...

驱动的波形是不规则的pwm波(两边的波幅值小,中间的波幅值大,上升也慢),且有一大段是没有波形(一直为低),ds波形分为四部分,先是0v,接着出现一个衰减震荡,之后稳定为16v一段时间,最后又上升为24v?现在不在实验室,只能说说了,不清楚这些波形是怎么产生的??

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10
599126716|  楼主 | 2013-8-25 00:49 | 只看该作者
gcxzhz 发表于 2013-8-24 23:16
1测试mos管后面的波形  看是否正常(mos发热)
2 这个电路本来设计的就不是太好,三极管处于开关状态的时候 ...

多谢,刚学习开关电源,还有很多不懂,希望前辈多指点指点···现在已改用nmos,效果待验证··

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11
关关| | 2013-8-25 20:40 | 只看该作者
我也做过这个电路 效率比你的高些 494出来后接光耦 电压达到要求后mos管就能导通了  对了 我用的管子是irf640 至于电感我也不太会选 都是试出来的

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12
褚帆子哥| | 2015-7-27 10:37 | 只看该作者
关关 发表于 2013-8-25 20:40
我也做过这个电路 效率比你的高些 494出来后接光耦 电压达到要求后mos管就能导通了  对了 我用的管子是irf6 ...

大神问一下我用的也是IRF640N,驱动电路想用光耦P521做有没有好点的电路图呢

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13
关关| | 2015-7-28 08:24 | 只看该作者
褚帆子哥 发表于 2015-7-27 10:37
大神问一下我用的也是IRF640N,驱动电路想用光耦P521做有没有好点的电路图呢 ...

光耦只是起到隔离作用,mos管的导通对电压有一定的要求,能达到吗?电路的话都是在网上找的,你可以仿真仿真:)

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14
oldzhang| | 2015-7-28 09:15 | 只看该作者
本帖最后由 oldzhang 于 2015-7-28 09:21 编辑

MOSFET的输入特性是电容,输入电容的电荷充放需要时间,这个时间越小越好,这就是MOSFET需要驱动的原因。MOSfet选耐压低的,导通电阻小些,可以试着提高频率,可以降低电感量。这是个老帖,看来还有人遇到同样的问题了。

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15
褚帆子哥| | 2015-7-29 17:24 | 只看该作者
关关 发表于 2015-7-28 08:24
光耦只是起到隔离作用,mos管的导通对电压有一定的要求,能达到吗?电路的话都是在网上找的,你可以仿真 ...

光耦做出的电路不行但理论从网上搜索来看光耦更好,单片机给PWM信号用LM358可以驱动,可以输出0~7V可调,IRF530,540更好可以达到0~9V输出0.0也没有更好的方法让640的输出也达到9v:Q

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16
oldzhang| | 2015-7-29 17:59 | 只看该作者
看看FOD3182能否满足你的要求,光藕非门,输出端10-30v,输入端光电二极管10-16mA

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关关| | 2015-7-30 09:20 | 只看该作者
褚帆子哥 发表于 2015-7-29 17:24
光耦做出的电路不行但理论从网上搜索来看光耦更好,单片机给PWM信号用LM358可以驱动,可以输出0~7V可调, ...

你可以查查芯片IR2111,我当时用的就是这个芯片驱动的

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褚帆子哥| | 2015-7-30 09:36 | 只看该作者
关关 发表于 2015-7-30 09:20
你可以查查芯片IR2111,我当时用的就是这个芯片驱动的

:handshake:lol搜搜:victory:

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