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中级技术员
电路.JPG (71.46 KB )
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2013-8-23 20:45 上传
使用特权
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2万
技术总监
lyjian 发表于 2013-8-23 21:13 1、驱动能力太差,MOS开关速度太慢 2、VGS电压超出规格 3、电感太大,RDC损耗大。 ...
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高级工程师
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技术达人
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1万
5万
版主
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1982
助理工程师
NE5532 发表于 2013-8-24 18:57 1.你用1k上拉拉MOS驱动,可能变沿确实不够,最好用MOS驱动器,建议测波形来看。 2.把电感的照片发上来悄悄 ...
gcxzhz 发表于 2013-8-24 23:16 1测试mos管后面的波形 看是否正常(mos发热) 2 这个电路本来设计的就不是太好,三极管处于开关状态的时候 ...
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实习生
关关 发表于 2013-8-25 20:40 我也做过这个电路 效率比你的高些 494出来后接光耦 电压达到要求后mos管就能导通了 对了 我用的管子是irf6 ...
褚帆子哥 发表于 2015-7-27 10:37 大神问一下我用的也是IRF640N,驱动电路想用光耦P521做有没有好点的电路图呢 ...
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资深工程师
关关 发表于 2015-7-28 08:24 光耦只是起到隔离作用,mos管的导通对电压有一定的要求,能达到吗?电路的话都是在网上找的,你可以仿真 ...
褚帆子哥 发表于 2015-7-29 17:24 光耦做出的电路不行但理论从网上搜索来看光耦更好,单片机给PWM信号用LM358可以驱动,可以输出0~7V可调, ...
关关 发表于 2015-7-30 09:20 你可以查查芯片IR2111,我当时用的就是这个芯片驱动的
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