关于一个大功率MOS 管H桥电路的，各位请评价。

只看该作者 · 2013-8-23 23:06

本帖最后由 1061zou 于 2013-8-23 23:08 编辑

如果此时VCC为+24V。那么MOS 的VGS 驱动信号应该给多少v？
总觉得这电路不对。
1：如果高电平为12V，低电平为0V,那么上臂的P-MOS不就一直导通不可控了吗？
2：如果高电平为24V，低电平为0V,那么下臂导通时的VGS>20V,上臂导通时VGS<-20V,虽然可控，但都超过了VGS耐压极限（+-20V）。

请问，我的分析对吗？此电路可用在VCC=24V场合吗？

3万 · 2013-8-24 00:44

“请问，我的分析对吗？”
1、是的。
2、是的。

“此电路可用在VCC=24V场合吗？”
很危险。因为门极电压超过允许范围。虽然管子参数一般留有余量(实测30V左右击穿)，但设计时应该以手册为准。

可以扩展一下考虑范围：
Vcc若是200V甚至300V，将会如何？
显然必须上下臂独立驱动。而且，没有很高耐压的P沟管，只能上下臂都使用N沟管。