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关于一个大功率MOS 管H桥电路的,各位请评价。

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1061zou|  楼主 | 2013-8-23 23:06 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 1061zou 于 2013-8-23 23:08 编辑

如果此时VCC为+24V。那么MOS 的VGS 驱动信号应该给多少v?
总觉得这电路不对。
1:如果高电平为12V,低电平为0V,那么上臂的P-MOS不就一直导通不可控了吗?
2:如果高电平为24V,低电平为0V,那么下臂导通时的VGS>20V,上臂导通时VGS<-20V,虽然可控,但都超过了VGS耐压极限(+-20V)。

请问,我的分析对吗?此电路可用在VCC=24V场合吗?

0e8c577c3b3ef932033a59622e634f2e.jpg (71.86 KB )

0e8c577c3b3ef932033a59622e634f2e.jpg

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沙发
maychang| | 2013-8-24 00:44 | 只看该作者
“请问,我的分析对吗?”
1、是的。
2、是的。

“此电路可用在VCC=24V场合吗?”
很危险。因为门极电压超过允许范围。虽然管子参数一般留有余量(实测30V左右击穿),但设计时应该以手册为准。

可以扩展一下考虑范围:
Vcc若是200V甚至300V,将会如何?
显然必须上下臂独立驱动。而且,没有很高耐压的P沟管,只能上下臂都使用N沟管。

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板凳
1061zou|  楼主 | 2013-8-24 21:02 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-8-24 00:44
“请问,我的分析对吗?”
1、是的。
2、是的。

好的,谢谢。现在淘宝上的黑心卖家太多了,还一直否认电路错误。

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地板
dontium| | 2013-8-24 21:08 | 只看该作者
是的,你这电路起码是不妥的。

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