关于场效应管和三极管的速度问题？

发表于 2007-11-27 19:05

对于场效应管与三极管的区别,TTL电路与CMOS电路的区别不是太清楚，下面两条看来似乎是矛盾的，到底哪个速度快？不知道如何解释。    　 （１）MOSFET的开关速度大于三极管的开关速度： 　当要三极管打开的时候，在基极中存在复合因子低的大量少数载流子，开关在闭合之前要对它们进行处理，换言之，与所有少数载流子器件相关的存储电荷问题限制了最大工作速度。    MOSFET作为多数载流子器件，不存在已存储的少数电荷问题，因此，其工作频率要高得多。可见MOSFET开关速度要比三极管的速度快的多，适合于用在高频应用中。 　　（２）TTL电路的速度比CMOS电路的速度快: 　　TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。CMOS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns)。

发表于 2007-12-7 14:53

在开关电路中（大功率应用场合，如开关电源），lz的第1点是正确的，因为管子要经历开启和关断两个状态。 在放大电路中，由于管子一直在放大状态，所以三极管不存在第1点问题，此时三极管速度比mos管快，因为mos的输出电阻大，栅电容大。 lz的第2点，严格来说是错误的，在早期的工艺中因为mos的W/L非常大，寄生电容大，所以传输延迟时间长，看看intel的现在都出45nm的mos工艺了，这个输出时间是很短的。