不知LZ是问单个MOS管的衬底还是整个芯片的基底？
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如果是指单个MOS管的衬底，则就像3楼所述，通过阱隔离可以使该MOS管的衬底与其它MOS管的不同。<br />如果是指整个芯片的基底，则就象2楼所述，因寄生电阻的存在，会使各处的电位有所差异。在电路设计时，一般默认基底的电位只有一个，而在版图设计中，一般会通过打TAP的方式尽量减少这个差异。<br />另外，现在芯片在封装后，基底背面常常有导电层存在，从而使得基底上任意两点之间不管远近，其电阻基本相同（除非靠得非常近的两个点，即距离不大于几个um）
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