MOS管驱动负偏置电路

只看该作者 · 2013-8-27 21:18

如图所示负偏置产生电路;(网页：http://www.cediy.com/webhtml/art ... 20100803130300.html)
我整理之后电路如下：

是不是图中稳压二极管（D8和D15）反了，怎么分析？

只看该作者 · 2013-8-27 22:02

稳压二极管（D8和D15）没有接反
简单理解IR2110，当输出高电平时就是把开关管的g点电压拉到VCC，开关管开启；输出低电平时，就是把开关管的g点电压下拉COM，开关管关断。加了稳压管后，设开关管的S端为0V，则IR2110的com端电压为-5V，及关断电压为-5V，开关管开启电压为VCC-5V，所以VCC电压设在20V左右。稳压管的作用是提供负电压偏置。
第一幅图电路原理上没有什么大问题；第二幅图电路是错的，IR2110输出端供电不对，不可能正常工作，开启电阻一般选择10到30欧，这和开关频率和损耗有关系

只看该作者 · 2013-8-28 09:06

gavin4611 发表于 2013-8-27 22:02
稳压二极管（D8和D15）没有接反
简单理解IR2110，当输出高电平时就是把开关管的g点电压拉到VCC，开关管开启 ...

谢谢，我一直以为负偏置是S端为-5，总感觉不对，经你这么一说就对了，图中R1和R7我阻值有问题，谢谢你

1万 · 2013-8-28 09:23

上面的电路也有问题!  看分析:

"在上、下管驱动电路中均增加由电容和5 V稳压管组成的负压电路。其工作原理为：电源电压Vcc为20 V。在上电期间，电源通过R10为C11充电，C11保持5 V电压。LIN为高电平时，LO相对COM输出20 V的高电平，这时加在下管VG1的电压为15 V，IGBT正常导通。当LIN输入为低电平时，LO输出O V，此时VG1的电压为-5 V，实现关断时负压。同理，对于上管VG2，HIN输入高电平时，HO输出20 V，加在VG2的电压为15 V。当HIN为低电平时，HO输出0 V，VG2电压为-5 V。选择的C11，C12要大于IGBT栅极输入寄生电容Ciss。自举电容充电电路中的二极管VD4必须是快恢复二极管，以保证在有限时间内快速导通。"

1. " 在上电期间，电源通过R10为C11充电，C11保持5 V电压。LIN为高电平时，LO相对COM输出20 V的高电平，这时加在下管VG1的电压为15 V，IGBT正常导通。" 这里是正确的.
但是此时 E1, E2 导通. VD6 导通, 由于 C11 上的 5V 电压. C9,C10 的自举电容上只能最多充电到 15V!
"对于上管VG2，HIN输入高电平时" HO输出15 V，VD6截至. 由 C12 负责通路, 如果考虑VD6正向压降. 这时候 HO 最多只有 14.4V.
如果想得到-5V 的负压, C12 应该取得小. HO 输出高的过程中, C12 得到-5V 的电压. 当 HO 输出低时, C12 的负压开始能够提供一个驱动负压. 但是由于其容量小, 很快就放完了. 所以是不能保证  HO 输出低时持续给 G2 以负压的.
所以说明里的 "同理" 根本就是不同理的.
"选择的C11，C12要大于IGBT栅极输入寄生电容Ciss。" -5V 的负压就得不到或者不足, 不管C12 怎么取, 充放电的电荷是一样的.  所以是不能保证  HO 输出低时持续给 G2 以负压的.

只看该作者 · 2013-8-28 09:59

airwill 发表于 2013-8-28 09:23
上面的电路也有问题! 看分析:

"在上、下管驱动电路中均增加由电容和5 V稳压管组成的负压电路。其工作原理 ...

谢谢，分析的很有道理，还需要消化

只看该作者 · 2013-8-28 13:58

airwill 发表于 2013-8-28 09:23
上面的电路也有问题! 看分析:

"在上、下管驱动电路中均增加由电容和5 V稳压管组成的负压电路。其工作原理 ...

那就是说低端输出可以得到负压。
但是此时 E1, E2 导通. VD6 导通, 这句没理解，下管导通时，上管应该是截至的，它这里E1和E2应该是三极管的E极相当于NMOS的S极吧！

1万 · 2013-8-28 15:55

E1, E2 导通,
因为 E2 和 D1 是相连的, 下管导通, 就是 E1, E2 之间导通

只看该作者 · 2013-8-28 16:06

airwill 发表于 2013-8-28 15:55
E1, E2 导通,
因为 E2 和 D1 是相连的, 下管导通, 就是 E1, E2 之间导通

谢谢

只看该作者 · 2013-8-28 17:17

airwill 发表于 2013-8-28 15:55
E1, E2 导通,
因为 E2 和 D1 是相连的, 下管导通, 就是 E1, E2 之间导通

对了，是不是把高端输出和低端输出分开之后，它的分析就是对的？

只看该作者 · 2013-8-28 18:43

还需要好好消化消化不错的学习帖子

1万 · 2013-8-29 07:35

shuiqinghan2012 发表于 2013-8-28 17:17
对了，是不是把高端输出和低端输出分开之后，它的分析就是对的？

高端输出和低端输出不能分开，否则自举都没有办法实现，高端就不能工作

只看该作者 · 2013-8-29 19:50

这个电路没怎么看明白这个电路我还要向楼上的几位学一学谢谢了

只看该作者 · 2013-8-29 22:22

楼主可以上传附件。

只看该作者 · 2013-8-30 14:46

airwill 发表于 2013-8-29 07:35
高端输出和低端输出不能分开，否则自举都没有办法实现，高端就不能工作 ...

IR2110只能用于低端和高端两个mos管同时工作的情形？我一直对这个不是很了解，上次单独用低端驱动没成功

只看该作者 · 2013-8-30 14:53

czdo 发表于 2013-8-29 22:22
楼主可以上传附件。

这个是网页上看到的，我把网页贴在帖子下面了

1万 · 2013-8-31 08:54

功率管在驱动时需要考虑很多问题要彻底看懂MOS电路需要对MOS管的一些特性比较熟悉这样很多原理解释起来就比较方便

1万 · 2013-8-31 08:55

主要还是FET内部的一些寄生特性寄生电容寄生二极管如何保护FET 如何加快FET开与关我感觉还是他内部的东西慢慢熟悉吧

只看该作者 · 2013-9-3 08:59

IR2110功率驱动集成芯片应用.pdf (181.99 KB)
此典型应用中图2

图中D7和D8实际应用中要不要，我看分析有道理，加上之后驱动全桥，直接测GS之间波形总是测不出来，去掉了D7和D8之后GS之间波形就有了，不过没过多久IR2110就烧掉了，然后测3号VCC和2号com端是通的，就是VCC 和地短路了，应该是里面两个管子烧掉了？那么D7和D8接不接，如何接才好保护管子？

ir2110.pdf (98.25 KB)

只看该作者 · 2013-9-3 17:01

airwill 发表于 2013-8-28 09:23
上面的电路也有问题! 看分析:

"在上、下管驱动电路中均增加由电容和5 V稳压管组成的负压电路。其工作原理 ...

由 C12 负责通路, 如果考虑VD6正向压降. 这时候 HO 最多只有 14.4V

VD6截至何来正向压降？

1万 · 2013-9-3 17:33

电子小龙发表于 2013-9-3 17:01
VD6截至何来正向压降？

不要断章取义哦
这个正向压降是前面导通时候的正向压降.

MOS管驱动负偏置电路

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