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MOS管驱动负偏置电路

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gavin4611| | 2013-8-27 22:02 | 显示全部楼层
稳压二极管(D8和D15)没有接反
简单理解IR2110,当输出高电平时就是把开关管的g点电压拉到VCC,开关管开启;输出低电平时,就是把开关管的g点电压下拉COM,开关管关断。加了稳压管后,设开关管的S端为0V,则IR2110的com端电压为-5V,及关断电压为-5V,开关管开启电压为VCC-5V,所以VCC电压设在20V左右。稳压管的作用是提供负电压偏置。
第一幅图电路原理上没有什么大问题;第二幅图电路是错的,IR2110输出端供电不对,不可能正常工作,开启电阻一般选择10到30欧,这和开关频率和损耗有关系

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-28 09:06 | 显示全部楼层
gavin4611 发表于 2013-8-27 22:02
稳压二极管(D8和D15)没有接反
简单理解IR2110,当输出高电平时就是把开关管的g点电压拉到VCC,开关管开启 ...

谢谢,我一直以为负偏置是S端为-5,总感觉不对,经你这么一说就对了,图中R1和R7我阻值有问题,谢谢你

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airwill| | 2013-8-28 09:23 | 显示全部楼层
上面的电路也有问题!  看分析:

"在上、下管驱动电路中均增加由电容和5 V稳压管组成的负压电路。其工作原理为:电源电压Vcc为20 V。在上电期间,电源通过R10为C11充电,C11保持5 V电压。LIN为高电平时,LO相对COM输出20 V的高电平,这时加在下管VG1的电压为15 V,IGBT正常导通。当LIN输入为低电平时,LO输出O V,此时VG1的电压为-5 V,实现关断时负压。同理,对于上管VG2,HIN输入高电平时,HO输出20 V,加在VG2的电压为15 V。当HIN为低电平时,HO输出0 V,VG2电压为-5 V。选择的C11,C12要大于IGBT栅极输入寄生电容Ciss。自举电容充电电路中的二极管VD4必须是快恢复二极管,以保证在有限时间内快速导通。"

1. " 在上电期间,电源通过R10为C11充电,C11保持5 V电压。LIN为高电平时,LO相对COM输出20 V的高电平,这时加在下管VG1的电压为15 V,IGBT正常导通。" 这里是正确的.
    但是此时 E1, E2 导通. VD6 导通, 由于 C11 上的 5V 电压. C9,C10 的自举电容上只能最多充电到 15V!
"对于上管VG2,HIN输入高电平时" HO输出15 V,VD6截至. 由 C12 负责通路, 如果考虑VD6正向压降. 这时候 HO 最多只有 14.4V.
如果想得到-5V 的负压, C12 应该取得小. HO 输出高的过程中, C12 得到-5V 的电压. 当 HO 输出低时, C12 的负压开始能够提供一个驱动负压. 但是由于其容量小, 很快就放完了. 所以是不能保证  HO 输出低时持续给 G2 以负压的.
所以说明里的 "同理" 根本就是不同理的.
"选择的C11,C12要大于IGBT栅极输入寄生电容Ciss。" -5V 的负压就得不到或者不足, 不管C12 怎么取, 充放电的电荷是一样的.  所以是不能保证  HO 输出低时持续给 G2 以负压的.

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-28 09:59 | 显示全部楼层
airwill 发表于 2013-8-28 09:23
上面的电路也有问题!  看分析:

"在上、下管驱动电路中均增加由电容和5 V稳压管组成的负压电路。其工作原理 ...

谢谢,分析的很有道理,还需要消化

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-28 13:58 | 显示全部楼层
airwill 发表于 2013-8-28 09:23
上面的电路也有问题!  看分析:

"在上、下管驱动电路中均增加由电容和5 V稳压管组成的负压电路。其工作原理 ...

那就是说低端输出可以得到负压。
但是此时 E1, E2 导通. VD6 导通, 这句没理解,下管导通时,上管应该是截至的,它这里E1和E2应该是三极管的E极相当于NMOS的S极吧!

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airwill| | 2013-8-28 15:55 | 显示全部楼层
E1, E2 导通,
因为 E2 和 D1 是相连的, 下管导通, 就是 E1, E2 之间导通

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-28 16:06 | 显示全部楼层
airwill 发表于 2013-8-28 15:55
E1, E2 导通,
因为 E2 和 D1 是相连的, 下管导通, 就是 E1, E2 之间导通

谢谢

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-28 17:17 | 显示全部楼层
airwill 发表于 2013-8-28 15:55
E1, E2 导通,
因为 E2 和 D1 是相连的, 下管导通, 就是 E1, E2 之间导通

对了,是不是把高端输出和低端输出分开之后,它的分析就是对的?

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puchuang| | 2013-8-28 18:43 | 显示全部楼层
还需要好好消化消化   不错的学习帖子

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airwill| | 2013-8-29 07:35 | 显示全部楼层
shuiqinghan2012 发表于 2013-8-28 17:17
对了,是不是把高端输出和低端输出分开之后,它的分析就是对的?

高端输出和低端输出不能分开, 否则自举都没有办法实现,高端就不能工作

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zeluo| | 2013-8-29 19:50 | 显示全部楼层
这个   电路   没怎么看明白   这个电路   我还要向楼上的几位学一学   谢谢了

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czdo| | 2013-8-29 22:22 | 显示全部楼层
楼主可以上传附件。

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-30 14:46 | 显示全部楼层
airwill 发表于 2013-8-29 07:35
高端输出和低端输出不能分开, 否则自举都没有办法实现,高端就不能工作 ...

IR2110只能用于低端和高端两个mos管同时工作的情形?我一直对这个不是很了解,上次单独用低端驱动没成功

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-8-30 14:53 | 显示全部楼层
czdo 发表于 2013-8-29 22:22
楼主可以上传附件。

这个是网页上看到的,我把网页贴在帖子下面了

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hawksabre| | 2013-8-31 08:54 | 显示全部楼层
功率管   在驱动时   需要考虑很多问题   要彻底看懂MOS电路  需要对MOS管的一些特性比较熟悉   这样   很多原理   解释起来就比较方便   

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hawksabre| | 2013-8-31 08:55 | 显示全部楼层
主要还是FET内部的一些寄生特性    寄生电容    寄生二极管    如何保护FET  如何加快FET开与关   我感觉还是他内部的东西    慢慢熟悉吧   

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shuiqinghan2012|  楼主 | 2013-9-3 08:59 | 显示全部楼层
IR2110功率驱动集成芯片应用.pdf (181.99 KB)

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电子小龙| | 2013-9-3 17:01 | 显示全部楼层
airwill 发表于 2013-8-28 09:23
上面的电路也有问题!  看分析:

"在上、下管驱动电路中均增加由电容和5 V稳压管组成的负压电路。其工作原理 ...
由 C12 负责通路, 如果考虑VD6正向压降. 这时候 HO 最多只有 14.4V

VD6截至何来正向压降?

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airwill| | 2013-9-3 17:33 | 显示全部楼层
电子小龙 发表于 2013-9-3 17:01
VD6截至何来正向压降?

不要断章取义哦
这个正向压降是前面导通时候的正向压降.

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