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再次请问:如何减小cmos传输门Ron?(图片更新)

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楼主
cyx123|  楼主 | 2008-3-24 23:04 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
   如下图所示,用一个1mA电流源来测试Ron,对输入电压Vin 0~5V扫描,Ron最大值总是在2k欧左右,其中设置nmos的W/L=50u/1u,pmos的W/L=200u/1u。
   进行沟道长度l参数扫描,结果如下:l=0.6u时,Ron最小;
   若对整个电源电压,也就是栅压进行扫描,结果:vdc=9V时,Ron最小

请大家帮我分析一下,还有什么办法可以减小么

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沙发
cyx123|  楼主 | 2008-3-24 23:06 | 只看该作者

Ron随沟道长度变化曲线

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板凳
cyx123|  楼主 | 2008-3-24 23:08 | 只看该作者

Ron随vdc变化曲线

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地板
mosan| | 2008-3-30 13:31 | 只看该作者

推一下公式不就知道了?

如题

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cyx123|  楼主 | 2008-4-1 13:49 | 只看该作者

mos管的参数m值改变没有变化啊

问题是现在看我这个电路
改变了mos管的m值和finger的个数
结果没有变化,曲线是重合的

难道是软件出现的问题,我用的是ic5141

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