再次请问：如何减小cmos传输门Ron？（图片更新）

发表于 2008-3-24 23:04

如下图所示，用一个1mA电流源来测试Ron，对输入电压Vin 0~5V扫描，Ron最大值总是在2k欧左右，其中设置nmos的W/L=50u/1u，pmos的W/L=200u/1u。    进行沟道长度l参数扫描，结果如下：l=0.6u时，Ron最小；    若对整个电源电压，也就是栅压进行扫描，结果：vdc=9V时，Ron最小 请大家帮我分析一下，还有什么办法可以减小么

发表于 2008-3-24 23:06

发表于 2008-3-24 23:08

发表于 2008-3-30 13:31

如题

发表于 2008-4-1 13:49

问题是现在看我这个电路 改变了mos管的m值和finger的个数 结果没有变化，曲线是重合的 难道是软件出现的问题，我用的是ic5141

再次请问：如何减小cmos传输门Ron？（图片更新）

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Ron随沟道长度变化曲线

Ron随vdc变化曲线

推一下公式不就知道了？

mos管的参数m值改变没有变化啊

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