再次请问:如何减小cmos传输门Ron?(图片更新)

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 楼主| cyx123 发表于 2008-3-24 23:04 | 显示全部楼层 |阅读模式
&nbsp;&nbsp;&nbsp;如下图所示,用一个1mA电流源来测试Ron,对输入电压Vin&nbsp;0~5V扫描,Ron最大值总是在2k欧左右,其中设置nmos的W/L=50u/1u,pmos的W/L=200u/1u。<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;进行沟道长度l参数扫描,结果如下:l=0.6u时,Ron最小;<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;若对整个电源电压,也就是栅压进行扫描,结果:vdc=9V时,Ron最小<br /><br />请大家帮我分析一下,还有什么办法可以减小么
 楼主| cyx123 发表于 2008-3-24 23:06 | 显示全部楼层

Ron随沟道长度变化曲线

 楼主| cyx123 发表于 2008-3-24 23:08 | 显示全部楼层

Ron随vdc变化曲线

mosan 发表于 2008-3-30 13:31 | 显示全部楼层

推一下公式不就知道了?

如题
 楼主| cyx123 发表于 2008-4-1 13:49 | 显示全部楼层

mos管的参数m值改变没有变化啊

问题是现在看我这个电路<br />改变了mos管的m值和finger的个数<br />结果没有变化,曲线是重合的<br /><br />难道是软件出现的问题,我用的是ic5141
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