本帖最后由 yu2818679526 于 2013-8-31 10:15 编辑
最好是相互比较，利于理解这三种晶体管结构和原理，谢谢前辈们指教。
[p=131, null, left]MOSFET[p=131, null, left]：金属[p=131, null, left]-[p=131, null, left]氧化层[p=131, null, left]-[p=131, null, left]半导体[p=131, null, left]-[p=131, null, left]场效晶体管，简称金属氧化物半导体场效晶体管 [p=123, null, left]（[p=123, null, left]Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET[p=123, null, left]）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字[p=123, null, left]电路的场效晶体管（[p=123, null, left]field-effect transistor[p=123, null, left]）。[p=123, null, left]MOSFET[p=123, null, left]依照其[p=123, null, left]“[p=123, null, left]通道[p=123, null, left]”[p=123, null, left]的极性不同，可分为[p=123, null, left]n-type[p=123, null, left]与[p=123, null, left]p-type[p=123, null, left]的[p=123, null, left]MOSFET[p=123, null, left]，[p=123, null, left]通常又称为[p=123, null, left]NMOSFET[p=123, null, left]与[p=123, null, left]PMOSFET[p=123, null, left]，[p=123, null, left]其他简称尚包括[p=123, null, left]NMOS FET[p=123, null, left]、[p=123, null, left]PMOS FET[p=123, null, left]、[p=123, null, left]nMOSFET[p=123, null, left]、[p=131, null, left]pMOSFET[p=131, null, left]等。
[p=131, null, left]IGBT[p=131, null, left]：[p=131, null, left]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)[p=131, null, left]，绝缘栅双极型晶体管，是由[p=131, null, left]BJT([p=131, null, left]双极型三极管[p=131, null, left])[p=131, null, left]和[p=131, null, left]MOS([p=131, null, left]绝缘栅型场效应管[p=131, null, left])[p=131, null, left]组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件[p=131, null, left], [p=131, null, left]兼有[p=131, null, left]MOSFET[p=131, null, left]的高输入阻抗和[p=131, null, left]GTR[p=131, null, left]的低导通压降两方面的优点。[p=131, null, left]GTR[p=131, null, left]饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大[p=131, null, left];MOSFET[p=131, null, left]驱动功率很[p=123, null, left]小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。[p=123, null, left]IGBT[p=123, null, left]综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降[p=123, null, left]低。非常适合应用于直流电压为[p=123, null, left]600V[p=123, null, left]及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵[p=123, null, left]引传动等领域。
[p=131, null, left]IGBT[p=131, null, left]是[p=131, null, left]Insulated Gate Bipolar Transistor[p=131, null, left]（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，[p=131, null, left]IGBT[p=131, null, left]是由[p=131, null, left]MOSFET[p=131, null, left]和双[p=123, null, left]极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为[p=123, null, left]MOSFET[p=123, null, left]，输出极为[p=123, null, left]PNP[p=123, null, left]晶体管，它融和了这两种器件的[p=123, null, left]优点，既具有[p=123, null, left]MOSFET[p=123, null, left]器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的[p=123, null, left]优点，其频率特性介于[p=123, null, left]MOSFET[p=123, null, left]与功率晶体管之间，可正常工作于几十[p=123, null, left]kHz[p=123, null, left]频率范围内，在现代电力电[p=123, null, left]子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
[p=131, null, left]IGBT[p=131, null, left]（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：
[p=131, null, left]集电极、发射极间电压（符号：[p=131, null, left]VCES[p=131, null, left]）[p=131, null, left]：栅极、发射极间[p=123, null, left]短路时的集电极，发射极间的最大电压。
[p=123, null, left]IGBT[p=123, null, left]（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：
[p=123, null, left]栅极发极间电压（符号：[p=123, null, left]VGES [p=123, null, left]）[p=123, null, left]：集电极、发射极间[p=123, null, left]短路时的栅极，发射极间最大电压。
[p=123, null, left]IGBT[p=123, null, left]（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：
[p=123, null, left]集电极电流（符号：[p=123, null, left]IC [p=123, null, left]）[p=123, null, left]：集电极所允许的最大直流电[p=123, null, left]流。
[p=123, null, left]IGBT[p=123, null, left]（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：
[p=123, null, left]耗散功率（符号：[p=123, null, left]PC[p=123, null, left]）：单个[p=123, null, left]IGBT[p=123, null, left]所允许的最大耗散[p=123, null, left]功率。
[p=123, null, left]IGBT[p=123, null, left]（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：
[p=123, null, left]结温（符号：[p=123, null, left]Tj[p=123, null, left]）：元件连续工作时芯片温厦。
[p=123, null, left]IGBT[p=123, null, left]（绝缘栅双极晶体管）模块的参数：
[p=123, null, left]关断电流（符号：[p=123, null, left]ICES [p=123, null, left]）：栅极、发射极间短路，在[p=123, null, left]集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。
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