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IC开盖会损伤metal吗?为什么静态电流大?

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楼主
小猫上线|  楼主 | 2008-11-13 11:47 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
  我有一颗不良品IC静态电流大(>100uA),要做EMMI分析,但是开盖后,发现VDD这个PAD上的metal层没有了,其他PAD上的metal也有不同程度的受损,做EMMI分析,也只发现VDD这个PAD上漏电,用金线邦定。在开盖前其他I/O口对VDD能测到ESD保护,开盖后没有了;静态电流开盖后大了30uA。
   请问一下高手,静态电流是什么原因造成的?(邦定还是本身材料?)
                 为什么VDD这个PAD上的金属层没有了?(是邦定后就没有了还是开盖腐蚀没有了?)
                 为什么只腐蚀掉这个PAD上的metal,其他PAD虽然受损,但是IC表面很完整啊?
                  是不是因为IC的PAD的表面少了什么氧化层,而……?
  请高手解释一下,感谢

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沙发
小猫上线|  楼主 | 2008-11-18 14:05 | 只看该作者

没有人??

怎么没有人回答啊???

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板凳
赵崇伟| | 2008-11-24 20:00 | 只看该作者

光照也可以造成电流大

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地板
sheepyang| | 2008-12-4 09:14 | 只看该作者

这里人气不旺啊

IC表面一般有钝化层(PSG等材料)保护,但是pad部分的铝则是露出来的,因为要

和金丝bond在一起,如果开盖没掌握火候的话, 酸会把铝腐蚀掉.


由于芯片受到了损伤,所以测试不能做为失效分析的依据.

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5
小猫上线|  楼主 | 2008-12-10 13:58 | 只看该作者

终于有人说话了

  估计被楼上的说中了,看来我的这颗IC白做了,损失了RMB700不说,还陪了一颗IC

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designlab| | 2008-12-20 09:01 | 只看该作者

可以做的

我前面做过几颗开盖的实验,做EMMI分析。让他们小心点儿,可以保证metal不被腐蚀 就行了。你的那个chip 明显腐蚀做过头了。

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