[电路/定理] MOS管驱动芯片烧了,求分析!

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 楼主| woshixiaowen 发表于 2013-9-6 16:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

电路如上,芯片ISL55110,驱动脉冲周期是1us,R和C用的是0603封装,对应的值是1K和0.01u,第一次和第二次上电都没事,之后就烧了,芯片接+12V和地之间的管脚短路了,求大侠帮忙!

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doob 发表于 2013-9-6 17:20 | 显示全部楼层
两个mos管同时导通会出现什么情况?应该是烧mos管吧。
 楼主| woshixiaowen 发表于 2013-9-6 17:57 | 显示全部楼层
doob 发表于 2013-9-6 17:20
两个mos管同时导通会出现什么情况?应该是烧mos管吧。

为什么会同时导通两个MOS管,是互补导通的
wangjunjun2005 发表于 2013-9-6 18:10 | 显示全部楼层
woshixiaowen 发表于 2013-9-6 17:57
为什么会同时导通两个MOS管,是互补导通的

死区时间不够就同时导通了。这个图是你实际的图吗?我觉得电路应该有些保护吧
anjf163 发表于 2013-9-7 09:05 | 显示全部楼层
MOS 驱动芯片选错了。不能这样用。
yangdiandong 发表于 2013-9-7 09:29 | 显示全部楼层
上管的驱动瞬间有个80V的电压冲击,试试在驱动芯片和上管之间加级电平转换电路
小凡的挚爱 发表于 2013-9-7 10:10 | 显示全部楼层
楼主说的1k电阻和0.01uf指的是哪个电阻和电容的值,如果是R135为1K,C196为0.01uf那显然不行了!
 楼主| woshixiaowen 发表于 2013-9-9 10:05 | 显示全部楼层
anjf163 发表于 2013-9-7 09:05
MOS 驱动芯片选错了。不能这样用。

那应该用什么呢?
 楼主| woshixiaowen 发表于 2013-9-9 10:05 | 显示全部楼层
wangjunjun2005 发表于 2013-9-6 18:10
死区时间不够就同时导通了。这个图是你实际的图吗?我觉得电路应该有些保护吧 ...

这个就是实际的电路了
 楼主| woshixiaowen 发表于 2013-9-9 10:06 | 显示全部楼层
yangdiandong 发表于 2013-9-7 09:29
上管的驱动瞬间有个80V的电压冲击,试试在驱动芯片和上管之间加级电平转换电路 ...

不懂什么意思,要转换成多少呢
 楼主| woshixiaowen 发表于 2013-9-9 10:08 | 显示全部楼层
小凡的挚爱 发表于 2013-9-7 10:10
楼主说的1k电阻和0.01uf指的是哪个电阻和电容的值,如果是R135为1K,C196为0.01uf那显然不行了! ...

就是这两个值,现在我也知道不行了,打算把电阻换大一些的试试
小凡的挚爱 发表于 2013-9-9 10:30 | 显示全部楼层
woshixiaowen 发表于 2013-9-9 10:08
就是这两个值,现在我也知道不行了,打算把电阻换大一些的试试

嗯,应该加大电阻值和电容值,电阻加到10k以上,电容加到10uf再试试
鸟鸟 发表于 2013-9-9 23:35 | 显示全部楼层
hfy3056 发表于 2013-9-10 10:05 | 显示全部楼层
isl55110数据手册说ina和inb输入是不取反的,楼主看看问题是不是在这儿??
 楼主| woshixiaowen 发表于 2013-9-10 12:11 | 显示全部楼层
hfy3056 发表于 2013-9-10 10:05
isl55110数据手册说ina和inb输入是不取反的,楼主看看问题是不是在这儿??

不是,手册的意思是这两路信号是完全相同的,没有相位差,实际测了也是这样的
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