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测试MOSFET 发热非常严重

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lijunalk|  楼主 | 2013-9-6 18:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 电压, LED, 光耦, HC

最近在测一个IGBT驱动光耦，型号为HCPL-3120，他内部可以看成是2颗MOSFET组成的推挽电路。
其原理是：当VCC=20V
当输入端LED发光时，上面一颗导通，电压等于电源电压 20V
LED关闭时，上面一颗关闭，下面一颗导通，电压VO=0，

我用万用表测得的现象也与上面的一致，即IF=10mA时VO=20V，IF=0mA时VO=0V。测试图如下。

可是问题来了，保持在IF=10mA一段时间，VO从20V开始下降，很快就降到10来V，此时光耦还严重发热。
还有一个现象是，我把IF=0mA以后，VO的电压不再降为0V，而是3.5V左右。

非常纠结，很明显这一颗被我烧坏了，但一直找不到原因，求大神指导啊。


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沙发
jilu1986| | 2013-9-7 07:36 | 只看该作者
哦，直接以FET为负载吗？

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板凳
yangdiandong| | 2013-9-7 09:33 | 只看该作者
负载是不是太大了？

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地板
lijunalk|  楼主 | 2013-9-7 09:33 | 只看该作者
jilu1986 发表于 2013-9-7 07:36
哦，直接以FET为负载吗？

算不上负载吧，因为我是用电压档测电压的，所以IO基本上是为0的。
我这样测是因为这颗光耦后面接的是IGBT或者MOSFET的栅极，在开启他们后栅极电流也就是IO电流也为0的。

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5楼
lijunalk|  楼主 | 2013-9-7 09:35 | 只看该作者
yangdiandong 发表于 2013-9-7 09:33
负载是不是太大了？

万用表的电压档应该可以看成是无负载的吧

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6楼
qzlbwang| | 2013-9-7 09:43 | 只看该作者
也许是电源的尖峰毛刺将其击穿了。纯属猜测，概不负责。

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lijunalk + 1 很给力!
7楼
lijunalk|  楼主 | 2013-9-7 09:51 | 只看该作者
qzlbwang 发表于 2013-9-7 09:43
也许是电源的尖峰毛刺将其击穿了。纯属猜测，概不负责。

我后续加个电容试试

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8楼
hulx| | 2013-9-7 11:07 | 只看该作者
疑点：
1、10mA电流如何加的？
2、MOSFET的栅极无电流？
3、坏了就换一颗。

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9楼
lijunalk|  楼主 | 2013-9-7 11:11 | 只看该作者
hulx 发表于 2013-9-7 11:07
疑点：
1、10mA电流如何加的？
2、MOSFET的栅极无电流？

1. 10mA我用恒流源源加的
2.  MOSFET的栅极应该只是在开启的时候有一个栅极充电电流吧！然后就没有了。
3.这个。。。我想确认我是怎么把他测坏的

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