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三极管be间的电阻作用？

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小凡的挚爱|  楼主 | 2013-9-7 10:36 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
三极管, 电阻, 抗干扰, 电路, 直流
本帖最后由 小凡的挚爱 于 2013-9-7 10:37 编辑

如题，经常看到很多三极管电路中在发射结并接一个电阻，不是为了直流偏置(因为bc级不加)，看了网上有人说是自举(这个说法还不知道原因是什么)，有人说是be结的阻尼电阻保护三极管，还有人认为是提高基极门限，抗干扰，求指导啊！

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沙发
TYZZD| | 2013-9-7 10:54 | 只看该作者
在发射结并接一个电阻?并接?

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板凳
gx_huang| | 2013-9-7 10:55 | 只看该作者
这也指导？给一个具体的电路。
一般是开关电路，并一个电阻，静态时防止干扰、误触发。

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地板
小凡的挚爱|  楼主 | 2013-9-7 11:13 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2013-9-7 10:55
这也指导？给一个具体的电路。
一般是开关电路，并一个电阻，静态时防止干扰、误触发。 ...


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Lgz2006 2013-9-7 11:22 回复TA
见3楼 
5楼
hzdyl| | 2013-9-7 14:03 | 只看该作者
小凡的挚爱 发表于 2013-9-7 11:13

输入为低电平时，下拉的电阻，可以加快Ｖｂｅ间电容放电，从而加速输出变化。

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6楼
小凡的挚爱|  楼主 | 2013-9-7 15:02 | 只看该作者
hzdyl 发表于 2013-9-7 14:03
输入为低电平时，下拉的电阻，可以加快Ｖｂｅ间电容放电，从而加速输出变化。 ...

感觉不太像加速三极管截止，可能有这方面的作用

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7楼
小凡的挚爱|  楼主 | 2013-9-7 15:03 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2013-9-7 10:55
这也指导？给一个具体的电路。
一般是开关电路，并一个电阻，静态时防止干扰、误触发。 ...

静态时防止干扰？如何做到的？

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8楼
hzdyl| | 2013-9-7 15:04 | 只看该作者
小凡的挚爱 发表于 2013-9-7 15:03
静态时防止干扰？如何做到的？

非要说静态干扰，那么就是下拉的电阻和ＣＥ间的分布电容产生了滤波的效果！

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小凡的挚爱 2013-9-7 15:08 回复TA
CE间？ 
9楼
yfyuan2008| | 2013-9-7 16:37 | 只看该作者
加速，我这样用过

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小凡的挚爱 2013-9-8 12:59 回复TA
加速感觉像是并联在基极电阻上，这种的没见过 
Lgz2006 2013-9-7 17:42 回复TA
你能说说用做加速时的情况吗 
10楼
gx_huang| | 2013-9-7 16:37 | 只看该作者
小凡的挚爱 发表于 2013-9-7 15:03
静态时防止干扰？如何做到的？

有一个电阻负载，让三极管导通的电压会提高。
如果高阻输入，输入开路，或者上电时GPIO处于高阻，容易被干扰。

就好比示波器，用手摸探头，会有50Hz的大信号干扰。
如果在探头和地之间并联一个10K电阻，手摸的感应电压就下降。

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11楼
xyz549040622| | 2013-9-7 22:36 | 只看该作者
抑制温度漂移的

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小凡的挚爱 2013-9-8 13:00 回复TA
这个我就更不能理解了，降低发射极电流？ 
12楼
xyz549040622| | 2013-9-7 22:37 | 只看该作者
降低发射极电流

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13楼
LAORUAN| | 2013-9-7 23:04 | 只看该作者
两个作用：
1、R1和R2构成分压，可以用来限制在输入电压大于一定值时才使三极管导通。
2、在输入电压为未知时，比如说单片机的IO为高阻态时，用R2下拉，使得三极管截止。

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小凡的挚爱 2013-9-8 13:03 回复TA
第一个作用我不认同，基极点位已经固定，何来分压；第二点倒是有可能 
14楼
小凡的挚爱|  楼主 | 2013-9-8 13:04 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2013-9-7 16:37
有一个电阻负载，让三极管导通的电压会提高。
如果高阻输入，输入开路，或者上电时GPIO处于高阻，容易被 ...

嗯，这点防止高阻态，使三极管可靠截止，可以有

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15楼
小凡的挚爱|  楼主 | 2013-9-8 13:05 | 只看该作者
king5555 发表于 2013-9-7 23:15
主要是吸收掉集基间的漏电流。

可否详细说说啊？为什么是bc的漏电流呢？

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16楼
Lgz2006| | 2013-9-8 13:17 | 只看该作者
小凡的挚爱 发表于 2013-9-8 13:05
可否详细说说啊？为什么是bc的漏电流呢？

是这样的：
环境温度较高时，集电结反向电流Icbo指数增大，此电流必流入发射结而成百倍之大（Iceo)，而不能可靠截止
故而加Rbe提供Icbo之通路，流入发射结甚少，截止更可靠

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17楼
小凡的挚爱|  楼主 | 2013-9-8 13:22 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2013-9-8 13:17
是这样的：
环境温度较高时，集电结反向电流Icbo指数增大，此电流必流入发射结而成百倍之大（Iceo)，而不 ...

哦，原来如此，我再理解理解，谢谢指导

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18楼
LAORUAN| | 2013-9-8 17:29 | 只看该作者
LAORUAN 发表于 2013-9-7 23:04
两个作用：
1、R1和R2构成分压，可以用来限制在输入电压大于一定值时才使三极管导通。
2、在输入电压为未知 ...

你还没搞懂啊。
之所以说是分压，是在VBE还没导通的时候。只有分压后的VBE电压够大，才能是发射结导通。

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19楼
小凡的挚爱|  楼主 | 2013-9-8 20:17 | 只看该作者
LAORUAN 发表于 2013-9-8 17:29
你还没搞懂啊。
之所以说是分压，是在VBE还没导通的时候。只有分压后的VBE电压够大，才能是发射结导通。 ...

你的意思是提高输入导通电压的门限值，抗干扰么

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20楼
LAORUAN| | 2013-9-8 20:44 | 只看该作者
小凡的挚爱 发表于 2013-9-8 20:17
你的意思是提高输入导通电压的门限值，抗干扰么

是的。。。

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