21ic电子技术开发论坛 › 综合技术交流 › 模拟技术论坛 › 三极管be间的电阻作用？
12下一页
返回列表 发新帖我要提问

三极管be间的电阻作用？

[复制链接]
11433|21
 楼主| 小凡的挚爱 发表于 2013-9-7 10:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
三极管, 电阻, 抗干扰, 电路, 直流
本帖最后由 小凡的挚爱 于 2013-9-7 10:37 编辑

如题，经常看到很多三极管电路中在发射结并接一个电阻，不是为了直流偏置(因为bc级不加)，看了网上有人说是自举(这个说法还不知道原因是什么)，有人说是be结的阻尼电阻保护三极管，还有人认为是提高基极门限，抗干扰，求指导啊！
回复

收藏1 举报

相关帖子
TYZZD 发表于 2013-9-7 10:54 | 显示全部楼层
在发射结并接一个电阻?并接?
回复

收藏1 举报

gx_huang 发表于 2013-9-7 10:55 | 显示全部楼层
这也指导？给一个具体的电路。
一般是开关电路，并一个电阻，静态时防止干扰、误触发。
回复

收藏1 举报

 楼主| 小凡的挚爱 发表于 2013-9-7 11:13 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2013-9-7 10:55
这也指导？给一个具体的电路。
一般是开关电路，并一个电阻，静态时防止干扰、误触发。 ...


本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册

×
回复

收藏1 举报

评论

Lgz2006
见3楼  发表于 2013-9-7 11:22
hzdyl 发表于 2013-9-7 14:03 | 显示全部楼层
小凡的挚爱 发表于 2013-9-7 11:13

输入为低电平时，下拉的电阻，可以加快Ｖｂｅ间电容放电，从而加速输出变化。
回复

收藏1 举报

 楼主| 小凡的挚爱 发表于 2013-9-7 15:02 | 显示全部楼层
hzdyl 发表于 2013-9-7 14:03
输入为低电平时，下拉的电阻，可以加快Ｖｂｅ间电容放电，从而加速输出变化。 ...

感觉不太像加速三极管截止，可能有这方面的作用
回复

收藏1 举报

 楼主| 小凡的挚爱 发表于 2013-9-7 15:03 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2013-9-7 10:55
这也指导？给一个具体的电路。
一般是开关电路，并一个电阻，静态时防止干扰、误触发。 ...

静态时防止干扰？如何做到的？
回复

收藏1 举报

hzdyl 发表于 2013-9-7 15:04 | 显示全部楼层
小凡的挚爱 发表于 2013-9-7 15:03
静态时防止干扰？如何做到的？

非要说静态干扰，那么就是下拉的电阻和ＣＥ间的分布电容产生了滤波的效果！
回复

收藏1 举报

评论

小凡的挚爱
CE间？  发表于 2013-9-7 15:08
yfyuan2008 发表于 2013-9-7 16:37 | 显示全部楼层
加速，我这样用过
回复

收藏1 举报

评论

小凡的挚爱
加速感觉像是并联在基极电阻上，这种的没见过  发表于 2013-9-8 12:59
Lgz2006
你能说说用做加速时的情况吗  发表于 2013-9-7 17:42
gx_huang 发表于 2013-9-7 16:37 | 显示全部楼层
小凡的挚爱 发表于 2013-9-7 15:03
静态时防止干扰？如何做到的？

有一个电阻负载，让三极管导通的电压会提高。
如果高阻输入，输入开路，或者上电时GPIO处于高阻，容易被干扰。

就好比示波器，用手摸探头，会有50Hz的大信号干扰。
如果在探头和地之间并联一个10K电阻，手摸的感应电压就下降。
回复

收藏1 举报

xyz549040622 发表于 2013-9-7 22:36 来自手机 | 显示全部楼层
抑制温度漂移的
回复

收藏1 举报

评论

小凡的挚爱
这个我就更不能理解了，降低发射极电流？  发表于 2013-9-8 13:00
xyz549040622 发表于 2013-9-7 22:37 来自手机 | 显示全部楼层
降低发射极电流
回复

收藏1 举报

LAORUAN 发表于 2013-9-7 23:04 | 显示全部楼层
两个作用：
1、R1和R2构成分压，可以用来限制在输入电压大于一定值时才使三极管导通。
2、在输入电压为未知时，比如说单片机的IO为高阻态时，用R2下拉，使得三极管截止。
回复

收藏1 举报

评论

小凡的挚爱
第一个作用我不认同，基极点位已经固定，何来分压；第二点倒是有可能  发表于 2013-9-8 13:03
 楼主| 小凡的挚爱 发表于 2013-9-8 13:04 | 显示全部楼层
gx_huang 发表于 2013-9-7 16:37
有一个电阻负载，让三极管导通的电压会提高。
如果高阻输入，输入开路，或者上电时GPIO处于高阻，容易被 ...

嗯，这点防止高阻态，使三极管可靠截止，可以有
回复

收藏1 举报

 楼主| 小凡的挚爱 发表于 2013-9-8 13:05 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2013-9-7 23:15
主要是吸收掉集基间的漏电流。

可否详细说说啊？为什么是bc的漏电流呢？
回复

收藏1 举报

Lgz2006 发表于 2013-9-8 13:17 | 显示全部楼层
小凡的挚爱 发表于 2013-9-8 13:05
可否详细说说啊？为什么是bc的漏电流呢？

是这样的：
环境温度较高时，集电结反向电流Icbo指数增大，此电流必流入发射结而成百倍之大（Iceo)，而不能可靠截止
故而加Rbe提供Icbo之通路，流入发射结甚少，截止更可靠
回复

收藏1 举报

评分

参与人数 1威望 +3 收起 理由
小凡的挚爱 + 3 很给力!

查看全部评分

 楼主| 小凡的挚爱 发表于 2013-9-8 13:22 | 显示全部楼层
Lgz2006 发表于 2013-9-8 13:17
是这样的：
环境温度较高时，集电结反向电流Icbo指数增大，此电流必流入发射结而成百倍之大（Iceo)，而不 ...

哦，原来如此，我再理解理解，谢谢指导
回复

收藏1 举报

LAORUAN 发表于 2013-9-8 17:29 | 显示全部楼层
LAORUAN 发表于 2013-9-7 23:04
两个作用：
1、R1和R2构成分压，可以用来限制在输入电压大于一定值时才使三极管导通。
2、在输入电压为未知 ...

你还没搞懂啊。
之所以说是分压，是在VBE还没导通的时候。只有分压后的VBE电压够大，才能是发射结导通。
回复

收藏1 举报

 楼主| 小凡的挚爱 发表于 2013-9-8 20:17 | 显示全部楼层
LAORUAN 发表于 2013-9-8 17:29
你还没搞懂啊。
之所以说是分压，是在VBE还没导通的时候。只有分压后的VBE电压够大，才能是发射结导通。 ...

你的意思是提高输入导通电压的门限值，抗干扰么
回复

收藏1 举报

LAORUAN 发表于 2013-9-8 20:44 | 显示全部楼层
小凡的挚爱 发表于 2013-9-8 20:17
你的意思是提高输入导通电压的门限值，抗干扰么

是的。。。
回复

收藏1 举报

下一页 »
12下一页
返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

小凡的挚爱

18

主题

302

帖子

2

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部