请教MOS管的损坏原因,

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 楼主| zhouss 发表于 2009-3-23 14:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
产品中用到大的电流,其实也不大,估计也就1A不到,负载是感性负载,带有二极管反向泻放电动势,但是控制用的是10A的MOS管,<br />排除了其他的干扰,因为电源有电感100UH/3A的滤波,外有0.2欧的电阻保护性的限制电流后有104的电容滤波等等措施,,实际用示波器来测量也是电源稳定,,,<br />但是MOS管还是有个别的坏了,(当然是很少数,大概千分之几的比例),,我想知道,除了短路、静电。还有什么原因造成MOS管容易损坏?,短路的时间很短是不是也坏了?三级管是不是短路时间短的情况下比MOS管要好一些?<br />在这里发贴只是想知道从制造的工艺等方面了解到些信息,,还请高手指点,先谢过,
wbbw022 发表于 2009-5-13 17:48 | 显示全部楼层

还有过压,

还有过压VDS,及超过雪崩吸收能量的以及VGS过压等不同的原因。
mayiqun720 发表于 2010-2-9 21:27 | 显示全部楼层
貌似一般是沟道穿通
hulan1985 发表于 2010-2-17 23:17 | 显示全部楼层
沟道穿通
乌龟背蜗牛 发表于 2010-4-2 22:32 | 显示全部楼层
OVP?
有decap后的图么?
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