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关于芯片内部插入电容的计算 (数字芯片内部的一点模拟电路

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eestone|  楼主 | 2007-1-30 20:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
代发一个朋友的问题:
假如芯片内置VR(voltage regulator ),不允许片外接电容来配合。VR输出2.5v, VR要求电流从1~50mA的上升时间大于300ns时,VR电压才不会明显波动。 假设要使VR因电流变化导致的电压波动控制在0.4v以内,在这种情况下,芯片内部电容如何加?加多大比较合适?如何计算出这个适当的电容值。 
(假设芯片存在电流从1~50mA的变化,且变化时间快,变化前后电流消耗波动不大,即50mA电流将维持一段时间) 

主要是因为一个数字芯片内部要加一个VR IP,所以要涉及一些模拟的知识。而我们都是做数字芯片的,对模拟基本上完全不懂了,希望懂行的朋友指点一二。
先行谢过!

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沙发
yezeg| | 2007-1-31 10:23 | 只看该作者

查看最基本的电容公式

Uc=(1/C)*I*t<0.4

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板凳
eestone|  楼主 | 2007-1-31 20:40 | 只看该作者

谢谢 yezeg

虽然还是不明白 :(

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地板
bangzhu| | 2007-1-31 22:47 | 只看该作者

能否把图发上来

电容很浪费面积,芯片内置电容容量一般非常小,一般都在数十pF以内,要内置电容,都是专用的,是需要结合实际电路才能算出,VR电路一般都是自偏置稳压电路,然后通过运放缓冲,或者是直接MOS管缓冲,加大它的驱动能力,最后送给电路供电,配置电容,要结合实际电路,希望楼主能将电路给出,大家才好帮忙哦

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paley| | 2007-2-8 22:33 | 只看该作者

有专门的片内REGULATOR

有专门的片内REGULATOR、需要的话可联系提供混合信号IP的厂家。。。

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