因项目需要，实现电容储能，通过控制开关管，实现电容大电流释放。现在这个开关管寻不到，还有该开关管体积不能太大，不然直接选择普通晶闸管替代了，最好是TO247的封装。求帮助，求指点！
开关管关断耐压：>=1270V，
开关导通瞬间，电流最>=3500A，导通时间是ns级，
参考以前的产品设计，选用的是MCT，MOS控制晶闸管作为开关管，但是国内几乎没有做MCT的，美国也就几家，而且是禁止对华出售，美国的Silicon Power有做MCT的，买不到。。而且似乎很贵。
查了下，IGBT和MCT相比，MCT的di/dt很高，耐压高，瞬间导通电流可大几十KA，响应速度快,但是MCT的发展和价格等原因，MCT没有IGBT发展迅速和普及。
请问熟悉MCT的给我点信息，或者可直接替代MCT的管子。我现在打算选用IGBT或晶闸管替代，不知后面调试能否通过，
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