100pinSTM32F103VC用FSMC外挂SRAM(IS61LV6416),DM9000A,及SSD1963.
SRAM地址采用74LV273上升沿锁存,FSMC使用地址数据复用模式,经测试时序没发现问题。现在现象为单步调试模式写数据正常,可是一旦全速运行SRAM内写的是下一个数据的地址(测试程序固定写16bit数据0xA5A5),即地址0x63FE0000 内数据为0x0001,0x63FE0002内数据为0x0002,0x63FE0004内数据为0x0003,。。。在连续两个写操作之间人为加延时结果依然如此。降低FSMC频率也无济于事。请高手帮忙分析下哪里有疏漏导致此问题,谢谢。时序见图。
单步操作如下图
连续操作如下
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