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DDR2/3的ODT为什么采用戴维南端接？

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cuizehan|  楼主 | 2013-9-24 15:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
DDR, 电阻, 直流, 阻值, pen
DDR2/3都有On-Die Termination，把DQ信号端接到VDDQ/2，其实现方式是通过两个阻值为2RTT的电阻分别端接到VDDQ和VSSQ。

我有个疑问，上面的端接方式其实等效于通过阻值为RTT的电阻直接端接到VDDQ/2，为什么没有直接这样做？上面那种方式的缺点很明显，只要ODT打开，就会有从VDDQ到VSSQ的直流通路，消耗太多的静态功耗。

DDR4对此的解决方案是叫Pseudo-open drain（POD）端接，只用一个电阻端接到VDDQ，这样就不会有直流电流了。

问题是，为什么不直接用一个电阻端接到VDDQ/2？增加一路电源输入开销很大吗？

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