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DDR2/3的ODT为什么采用戴维南端接?

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cuizehan|  楼主 | 2013-9-24 15:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
DDR2/3都有On-Die Termination,把DQ信号端接到VDDQ/2,其实现方式是通过两个阻值为2RTT的电阻分别端接到VDDQ和VSSQ。

我有个疑问,上面的端接方式其实等效于通过阻值为RTT的电阻直接端接到VDDQ/2,为什么没有直接这样做?上面那种方式的缺点很明显,只要ODT打开,就会有从VDDQ到VSSQ的直流通路,消耗太多的静态功耗。

DDR4对此的解决方案是叫Pseudo-open drain(POD)端接,只用一个电阻端接到VDDQ,这样就不会有直流电流了。

问题是,为什么不直接用一个电阻端接到VDDQ/2?增加一路电源输入开销很大吗?

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