运放电路自激问题请教

登录 · 发表于 2013-9-24 17:48

各位大虾大家好，请教一下这个放大电路，我用仿真测试没有什么问题。
实际搭了个电路，输入用信号发生器给的，输入信号200K。
当R5在510K的时候会产生自激振荡现象，R5改为100K就没有自激振荡了。
但是再加一级放大，放大倍数设为10倍，也就是前后一共放大100倍时，又会出现自激现象。把第二级放大去掉后第一级也还会有自激现象。
不明白是为什么，还请大家指点一二。

发表于 2013-9-24 21:03

可以在R5上并个几P电容。最好还是把R3,R5缩小，C5加大。

发表于 2013-9-24 22:48

两种情况：
1，高增益时，R5上并联的补偿电容取值为：sqrt(Cin/w0*R5).
2,低增益时，R5上并联的补偿电容为：0.5Cin*Rg/(R5+Rg).
式中Cin是运放的输入等效电容，MOS型运放大约为20pF左右,具体见手册；w0为运放的GBW；Rg为运放等效输入电阻。

发表于 2013-9-25 08:36

MCU52 发表于 2013-9-24 21:03
可以在R5上并个几P电容。最好还是把R3,R5缩小，C5加大。

R3 R5缩小，C5加大这个有什么说法么？

发表于 2013-9-25 08:38

xukun977 发表于 2013-9-24 22:48
两种情况：
1，高增益时，R5上并联的补偿电容取值为：sqrt(Cin/w0*R5).
2,低增益时，R5上并联的补偿电容为 ...

您的意思是，需要在R5上并联一个电容，是这个意思么？

发表于 2013-9-25 10:20

tirimisu 发表于 2013-9-25 08:38
您的意思是，需要在R5上并联一个电容，是这个意思么？

国半的大胡子--鲍勃皮斯--说：总是要在反馈电阻Rf上加一电容，除非你能确定一定不需要它。

登录 · 发表于 2013-9-25 10:30

国半的这大胡子，我挺喜欢它的
但去年去世后，我一看国半介绍他的简历，我考，一共才弄了30来项专利，太少了，我们锅家一个小部门都能弄个3,50个/年，平均每人每年3个，所以大胡子应该弄个3*30=90个专利才对等。。。
现在许多公司都在招【专利工程师】--专利制造专利的。。。

发表于 2013-10-6 21:52

明显相位问题，在反蚀电阻加电容，还有前后二级加一级隔离缓冲器，或隔离电阻

发表于 2013-10-7 12:16

学习了

发表于 2013-10-8 09:33

xukun977 发表于 2013-9-24 22:48
两种情况：
1，高增益时，R5上并联的补偿电容取值为：sqrt(Cin/w0*R5).
2,低增益时，R5上并联的补偿电容为 ...

ding

发表于 2013-10-8 09:35

xukun977 发表于 2013-9-24 22:48
两种情况：
1，高增益时，R5上并联的补偿电容取值为：sqrt(Cin/w0*R5).
2,低增益时，R5上并联的补偿电容为 ...

请问你是高校老师，还是工程师呢？

发表于 2014-11-20 22:42

学习了

发表于 2014-11-23 21:39

典型的环路稳定性分析，仿真这东西大部分是模拟不了实际情况，而且你仿真的情况下器件大部分是理想器件（实际器件考虑输入电容，走线长度，负载电容等情况），更不可能产生自激了。摆明了幅值超标，减少运放的放大倍数在这里能解决。当然幅值跟相位是关联的，你可以适当减少相位来解决，即在R5上并联电容。
建议：
1、运放选型考虑实际需求信号
你想得到是哪个频率段的放大，尽量选择相应带宽的运放，带宽选得大无效频率会影响。
2、运放反馈电阻并联接电容是常识，接不接都要预留，如果没有作用，后续BOM中去掉即可
3、运放输出串电阻，增大带容性负载能力
4、其它的就根据实际情况看，能加的兼容都加上，没用就用0ohm替代或者不接。
好好看一下环路稳定性。

发表于 2016-8-18 17:32

这个值得学习

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