请问图中的Mos管安全吗？

只看该作者 · 2013-9-26 09:12

本帖最后由 mcsgy 于 2013-9-29 10:08 编辑

如题，请问图中的Mos管安全吗，会不会容易被击穿？需不需要改进？
谢谢！

添加整个原理图附件：

0910800-14.pdf (124.54 KB)

0910800-14-1.pdf (222.56 KB)

0910-PCA.pdf (47.04 KB)
厂家原因分析130929更新：
http://www.nxp.com/documents/application_note/AN11243.pdf
补充说明：
      这个产品是一个欠压保护单元，假设额定电压为Vn,那么当电压降为60%Vn（或其它电压）以下的时候，该单元就会动作，进而关断供电或反馈欠压信号。
原理是这样的：可以把它类比为一个继电器，当电网正常的时候，线圈通电（此时想像为继电器吸合），当电网欠压时，线圈断电（此时想像为继电器释放）。
   这款产品额定工作电压为Vn=220V AC，当电网的电压为66%Vn以上时，电路正常工作，表现为“吸合”状态，当电网的电压下降到55%Vn时，欠压保护单元动作，表现为“释放”状态。

   现在产品确实存在MOS管被击穿的问题，但比例不是很大，而且是已经到客户那边的产品才发现的。不过放心我们是全检合格后出货的，现在没有找到根本原因在哪里。看看大家怎么看？

   另外这个产品是老外的设计，我们只是做代工而已，分享此电路主要是为了能和大家一起学习。

只看该作者 · 2013-9-26 09:15

补充一下，输入KM101 是220V AC，瞬间接通或断开；
MOS管的负载是线圈，属于感性负载。

1万 · 2013-9-26 09:35

交流啊，不用细看10之89不安全

只看该作者 · 2013-9-26 09:47

Lgz2006 发表于 2013-9-26 09:35
交流啊，不用细看10之89不安全

确实，测试的时候遇到最多的是FET102损坏，但比例不是很高0.1%左右。
很头疼啊，可以改进吗？

1万 · 2013-9-26 10:16

测试坏1/1000，出去一年还不得10%啊

又不是逢试必坏，要想保证就得技术交底，你能吗

只看该作者 · 2013-9-26 10:34

Lgz2006 发表于 2013-9-26 10:16
测试坏1/1000，出去一年还不得10%啊

又不是逢试必坏，要想保证就得技术交底，你能吗 ...

电路图添加附件了，有空帮忙分析一下。谢谢！
MOS管耐压650V，电流7.5A

1万 · 2013-9-26 10:54

首先要弄清是电压损坏，还是过热损害。这应该能做到吧。后面，解决就容易了。

只看该作者 · 2013-9-26 11:06

shalixi 发表于 2013-9-26 10:54
首先要弄清是电压损坏，还是过热损害。这应该能做到吧。后面，解决就容易了。 ...

如果是过热坏的，板子会烧黑，有这样的情况，暂不分析。
我是想会不会是电网浪涌导至MOS管击穿，或者是静电击穿。

1万 · 2013-9-26 11:09

本帖最后由 shalixi 于 2013-9-26 11:10 编辑

mcsgy 发表于 2013-9-26 11:06
如果是过热坏的，板子会烧黑，有这样的情况，暂不分析。
我是想会不会是电网浪涌导至MOS管击穿，或者是静 ...

过热坏，板子不一定烧黑。肯定不会是静电。

1万 · 2013-9-26 11:12

本帖最后由 shalixi 于 2013-9-26 11:16 编辑

也不会也是电网浪涌。电网浪涌要测试的。

只看该作者 · 2013-9-26 11:19

本帖最后由 mcsgy 于 2013-9-26 16:14 编辑

shalixi 发表于 2013-9-26 11:12
也不会也是电网浪涌。

可是FET102的工作时间不是很长，116ms左右，这样也会过热损坏？
上电瞬间FET102 D-S之间的波形图：

去除D104续流二极管后的波形图（会有一个高电压冲击）：

只看该作者 · 2013-9-26 11:19

不用想肯定不安全，你这mos怎么能直接接感性负载呢！

只看该作者 · 2013-9-26 11:21

william_D_87 发表于 2013-9-26 11:19
不用想肯定不安全，你这mos怎么能直接接感性负载呢！

还有个续流二极管D104和D105，可以消除感性负载带来的冲激。

1万 · 2013-9-26 11:22

开关过程时间长就要过热。

只看该作者 · 2013-9-26 11:34

本帖最后由 mcsgy 于 2013-9-27 08:41 编辑

再补充一下：

修正后的原理图：

图中 L1直流电阻理论值为：156.5欧，3750匝， L2直流电阻理论值为：21.86K，2.6K匝。
上电瞬间L1 与L2 并联工作，166ms后L1 与L2 串联工作。时间是通过运放那边的电容充放电电路控制的。
修正：上电瞬间FET102和FET101均导通，但只有L1工作产生电磁力，之后FET102截止，FET101保持导通，L1和L2串联工作提供电磁力。13-9-27
欢迎大家讨论，谢谢！

1万 · 2013-9-26 11:42

输出加整形。

只看该作者 · 2013-9-26 11:59

shalixi 发表于 2013-9-26 11:42
输出加整形。

是整流输出后加整形吗？

只看该作者 · 2013-9-26 12:25

mcsgy 发表于 2013-9-26 11:59
是整流输出后加整形吗？

变压器与MOS间加TVS，尝试使用二极管。烧掉图片什么样，PCB还能用吗？

1万 · 2013-9-26 13:02

mcsgy 发表于 2013-9-26 11:59
是整流输出后加整形吗？

运放输出加整形.

只看该作者 · 2013-9-26 13:08

shalixi 发表于 2013-9-26 13:02
运放输出加整形.

不太明白啊，运放输出是方波啊，怎么整形？

请问图中的Mos管安全吗？

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