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[电路/定理]

请问图中的Mos管安全吗?

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楼主: mcsgy
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mcsgy|  楼主 | 2013-9-26 13:17 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
qianlisen2009 发表于 2013-9-26 12:25
变压器与MOS间加TVS,尝试使用二极管。烧掉图片什么样,PCB还能用吗?

请问是像D104 那样加吗?
烧掉的比较惨的情况有两种:
     1、过流烧的,线圈也烧掉了,一般整流二极管,续流二极管和FET都会坏。。
     2、压敏烧了之后造成的。这样的压敏肯定是爆了,运放也爆了一个坑。
以上两种情况PCB均可以继续使用。

我现在很想知道的是,没有过流的迹象,也没有过压的迹象,FET102就坏了,怎么回事?

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tergy2012| | 2013-9-26 14:15 | 只看该作者
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shalixi| | 2013-9-26 15:44 | 只看该作者
把11楼时间分度变小后再看。

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mcsgy|  楼主 | 2013-9-26 16:09 | 只看该作者
shalixi 发表于 2013-9-26 15:44
把11楼时间分度变小后再看。


这都是正常的波形,开始上电时FET102 D-S有电压V(整流后的电压),延时50ms后FET102导通,D-S电压下降,导通116ms后,FET102关断,D-S的电压恢复V。

时间分度变小后也看不出什么来。

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Lgz2006| | 2013-9-26 16:52 | 只看该作者
楼主说说2个,一个是它是干嘛用的,二个是L101怎么回事儿

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mcsgy|  楼主 | 2013-9-26 17:13 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2013-9-26 16:52
楼主说说2个,一个是它是干嘛用的,二个是L101怎么回事儿

一、这是个欠压保护单元
二、L101里面有三组线圈和一些机械件和弹簧组成一个电磁机构,类似继电器。
    一组是所谓的滤波线圈,在电源输入端。
    二组是激励线圈,和FET102配合工作,电阻较小,电流大能产生较强的磁力让机构吸合。但FET102导通时间短,否则功率很大(300W左右)且发热严重。
    三组是保持线圈,和FET102配合工作,电阻较大,电流小能产生的磁力相对较小,但能让机构保持吸合。功率小(小于3.5W),可以长时间工作。
     上电瞬间FET101和FET102同时导通,激励线圈和保持线圈是并联工作的,能提供很强的电磁力。
     之后FET102截止,FET101导通,激励线圈和保持线圈是串联工作的。提供电磁保持力。
看看能不能理解?

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Lgz2006 2013-9-26 17:19 回复TA
好多了吔,大体清楚了。先把L101部分重新画过 
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xmar| | 2013-9-26 17:36 | 只看该作者
改进:
MOSFET的漏极到POWER_GND串联一个电容、串联一个电阻、电阻上并联一个二极管(二极管阴极接POWER_GND).

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Lgz2006| | 2013-9-26 17:41 | 只看该作者
既然是代工,那也就不能改了
诚然,电原理比较简单,产品品质还是容易保证的

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ly_milan| | 2013-9-26 18:05 | 只看该作者
我觉得可以这样分析:
1、找出怀疑的方向,做破坏型试验,比如怀疑电感引起的尖峰电压,那就把输入电压加到最大允许电压进行测试,看看故障率是不是升高了和现象是不是一样的,哪样就可以判断什么引起故障?
2、静电原因。可以把坏的MOSFET给原厂,一般可以判断出来的。

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ly_milan| | 2013-9-26 18:08 | 只看该作者
MOSFET ,G端最好加上稳压管和接地电阻。防止静电损坏GS

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mcsgy|  楼主 | 2013-9-26 18:34 | 只看该作者
xmar 发表于 2013-9-26 17:36
改进:
MOSFET的漏极到POWER_GND串联一个电容、串联一个电阻、电阻上并联一个二极管(二极管阴极接POWER_GN ...

目的是为了消除高频脉冲是吧
谢谢!

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mcsgy|  楼主 | 2013-9-26 18:40 | 只看该作者
ly_milan 发表于 2013-9-26 18:08
MOSFET ,G端最好加上稳压管和接地电阻。防止静电损坏GS
我觉得可以这样分析:
1、找出怀疑的方向,做破坏型试验,比如怀疑电感引起的尖峰电压,那就把输入电压加到最大允许电压进行测试,看看故障率是不是升高了和现象是不是一样的,哪样就可以判断什么引起故障?
2、静电原因。可以把坏的MOSFET给原厂,一般可以判断出来的。


1、你说的破坏性试验可以试试。
2、静电原因:曾经有寄回给原厂,他们是说事静电击穿。
3、G端加个稳压管和接地电阻也挺有道理的。

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trumpxp| | 2013-9-26 19:17 | 只看该作者
应该问题不大吧   楼主    这一块   帮你分析分析

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opal11| | 2013-9-26 21:27 | 只看该作者
交流电,分析起来有点困难。

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ldch88| | 2013-9-26 22:34 | 只看该作者
粗看貌似没太大问题,看看PCB走线,续流二极管是否距离MOS太远

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mcsgy|  楼主 | 2013-9-27 08:43 | 只看该作者
tergy2012 发表于 2013-9-26 14:15
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你可以说说静电击穿相关知识吗?

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mcsgy|  楼主 | 2013-9-27 08:52 | 只看该作者
ldch88 发表于 2013-9-26 22:34
粗看貌似没太大问题,看看PCB走线,续流二极管是否距离MOS太远

续流二极管与MOS距离很近。详见一楼PCA附件。

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mcsgy|  楼主 | 2013-9-27 09:04 | 只看该作者
ly_milan 发表于 2013-9-26 18:08
MOSFET ,G端最好加上稳压管和接地电阻。防止静电损坏GS


从以上动放的原理图来看,如果产品上电的话,输出要么是Vcc要么是VEE。
如果说没有上电的话,输出相关于悬空,那么输出到G的话也是悬空,这样GS被静电击穿的可能性大。

这个提议可以考虑。

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shalixi| | 2013-9-27 09:56 | 只看该作者
本帖最后由 shalixi 于 2013-9-27 09:57 编辑
mcsgy 发表于 2013-9-27 08:43
你可以说说静电击穿相关知识吗?

已经装到PCB上了,就不用考虑静电击穿了

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shalixi| | 2013-9-27 09:56 | 只看该作者
mcsgy 发表于 2013-9-27 08:43
你可以说说静电击穿相关知识吗?

已经装到PCB上了,就不用考虑静电击穿了

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