如附图中Q1管子用于驱动一负载,负载电流约20mA。纯阻性负载,无瞬间冲击。在调试过程中发现,Q1及Q2均易损坏。为了减小静态电流,因此不能将R1、R2电阻减小。分析可能损坏的原因有如下几种:
1、MOSFET质量问题。但由于从不同经销商购买过数批此MOSFET,均发现有损坏的现象。 2、焊接静电击穿。采用普通的电烙铁,但就算拔掉电烙铁的电源再焊接时,依然有发生MOSFET损坏的现象。 3、MOSFET上拉电阻太小。
产生损坏时,部份MOSFET的GS端呈现较低阻抗。此时将有较大的电流流经R3、R4,电流约为几十uA到上百uA。
请问各位,是否碰到过此问题。MOSFET上拉电阻能否取到4.7M这样的量级。在如下描述的情况中,最有可能的损坏原因是哪个? |