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如何提高三极管电平转换波形质量?

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YEO|  楼主 | 2013-9-29 12:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 YEO 于 2013-9-29 12:51 编辑

模块1的TX发送到模块2的RX,两模块的供电为2.8V、3.3V,

由于模块2串口RXD的Vin min要大于3V,所以要经过三极管电平转换,但是波形不是很好,2.8V处有一个台阶,

波特率固定为115200,R1、R2改小会好些,但是还有台阶,这电路应该怎样改善?

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沙发
gx_huang| | 2013-9-29 13:29 | 只看该作者
那是三极管深度饱和导通时的饱和退出时间,该电路不太好改善。
换一个好一点的三极管,R1加大,R2减少,可以改善。

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板凳
maychang| | 2013-9-29 14:01 | 只看该作者
不怕麻烦,可以考虑防饱和电路。
还可以考虑三极管输入低电平时,尽量减少输入信号阻抗。
甚至可以考虑在三极管输入低电平时,对三极管基极施加低内阻负偏置,加速使三极管基极“清空”。
不过这些方法都比较复杂。

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地板
小凡的挚爱| | 2013-9-29 14:41 | 只看该作者
用加速电容行不行?

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5
airwill| | 2013-9-29 15:15 | 只看该作者
不知道这个台阶的时间有多长. 感觉是晶体管的结电容导致的截止延迟.

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6
YEO|  楼主 | 2013-9-29 15:20 | 只看该作者
本帖最后由 YEO 于 2013-9-29 15:24 编辑



改成这样可以了

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7
YEO|  楼主 | 2013-9-29 15:24 | 只看该作者
本帖最后由 YEO 于 2013-9-29 18:58 编辑

奇怪,我看不到自己的图片

QQ图片3.jpg (36.74 KB )

QQ图片3.jpg

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QQ图片3.jpg

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8
mmuuss586| | 2013-9-29 17:30 | 只看该作者
为啥不用数字三级管。

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mmuuss586| | 2013-9-29 17:31 | 只看该作者
或者电平转换芯片

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maychang| | 2013-9-29 17:47 | 只看该作者
YEO 发表于 2013-9-29 15:20
改成这样可以了

这就是我在3楼所说“尽量减少输入信号阻抗”。左边三极管饱和时集电极到发射极阻抗非常低。
不过,你这个电路与首帖相比较,输出反相。

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11
xinhuaH| | 2013-9-29 18:20 | 只看该作者
能具体分析下,为什么就可以了呢?

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maychang| | 2013-9-29 18:28 | 只看该作者
xinhuaH 发表于 2013-9-29 18:20
能具体分析下,为什么就可以了呢?

因为三极管退出饱和时基极与发射极之间阻抗非常低。

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13
YEO|  楼主 | 2013-9-29 18:45 | 只看该作者
奇怪,怎么我看不到自己的图片呢?

maychang,新改的图输出没有反相啊

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14
maychang| | 2013-9-29 19:07 | 只看该作者
YEO 发表于 2013-9-29 18:45
奇怪,怎么我看不到自己的图片呢?

maychang,新改的图输出没有反相啊

是,看错了。新图没有反相。原图是共基极电路。

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15
Lgz2006| | 2013-9-29 19:18 | 只看该作者
这两天老是这样看不了图

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16
gx_huang| | 2013-9-30 08:37 | 只看该作者
YEO 发表于 2013-9-29 15:24
奇怪,我看不到自己的图片

你这个一样有延时,只不过不是台阶。
换汤不换药。

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17
ddxx| | 2013-9-30 08:59 | 只看该作者
你换个PNP管看看。

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18
lnak| | 2013-9-30 10:32 | 只看该作者
用开关管,如:2N3904

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19
cx1234| | 2014-3-22 10:22 | 只看该作者
maychang 发表于 2013-9-29 14:01
不怕麻烦,可以考虑防饱和电路。
还可以考虑三极管输入低电平时,尽量减少输入信号阻抗。
甚至可以考虑在三 ...

您好,请问一下防饱和电路原理是什么,谢谢

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20
Lgz2006| | 2014-3-22 11:42 | 只看该作者
本帖最后由 Lgz2006 于 2014-3-22 14:54 编辑

防饱原理基于“退出饱和需要时间”,饱和越深时间越长(另见2楼等贴)

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