本帖最后由 FSL_FAE_JiCheng 于 2013-9-30 09:36 编辑
接上篇余热，继续低头码字（小说的感觉又来了啊有木有，呵呵）。
最近在看Kinetis的Reference Manual的时候发现一个有意思的命令，即Read 1s。乍一看以为是读1秒的意思（你不要跟我说现在小米都出2s了iPhone都出5s了，这个“1s”太落伍了吧，咳咳，我只能说你手机看多了吧，我可不想落下个给手机做广告的嫌疑，呵呵），不过一结合上下文的话这意思可就差的十万八千里了，无奈之下只能安下心来仔细琢磨一会儿（说实话，这E文读的真是累啊，呵呵，要我说啊，为什么国内的科研水平相比于国外上不去，其中一部分原因是现在的科学文献几乎一色的E文，国人别说理解透彻，首先认全单词都得半天，汗，这效率可想而知了，哎，咳咳，当然我并不是反对英文的重要性，稍微替广大技术发烧友们吐槽一下，呵呵），这才发现其中奥妙，觉着挺有意思的，我google了一下还没有人正式的提到过这个问题，所以还是觉着有必要在这里分享出来，仅供参考。
首先解释一些这个“1s”，其中“s”其实是英文复数的意思，也就是说很多个1，咳咳，这下长见识了吧，看来“1s”还是个多义词来，原来E文也是博大精深的嘛，哈哈。好了，言归正传，既然1s是多个1的话，那Read 1s就是读多个1出来，而且这个命令又是在Flash模块里用的，我们会联想到什么呢，呵呵，估计很多人都已经猜到了。我们都知道，flash存储器由于其架构的原理，对其读写尤其是写来说有两个过程，即先擦除然后再写，而每个字节被擦除后是为1的（我们对flash的写只能是由1写成0，是不能由0写成1的，这是原理性的问题，也解释了为什么我们写数据的时候要先擦除再写，这下知道原因了吧，呵呵），这下我们再联想Read 1s指令就有点“昭然若揭”了吧，结合文档中的内容我们不难理解“Read 1s”命令其实就是用来确认和验证某段Flash区是否被正确擦除了（全擦除了就读回来的全是1，有一个没擦除干净就会返回擦除错误）。下面我们来看一下K60 RM中的一段指令描述：
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从上图我们可以看到，K60有三个“Read 1s”命令，分别为Read 1s Block（验证某块是否被擦除）、Read 1s Section（验证某段区域是否被擦除）和Read 1s All Blocks（验证所有的块是否被擦除）。至于这几个命令的用处可就大了，在高安全领域的应用，假入我们想写一些重要敏感的数据到某段Flash区中，在对flash擦除之后，为了保险起见可以启动这个命令对擦除的区域进行验证，只有完全擦除了才能写进去，不然擦除的时候漏掉某个地址的字节，而这个字节数据又恰好要被用到，那就有可能发生错误。至于其他应用，靠大家自己去琢磨了，呵呵。 这里我只是简单的说了说这个Read 1s命令，如果大家不理解可以去Kinetis RM上去慢慢啃慢慢理解，当然也欢迎博客下面留言，欢迎交流。不多说了，再聊，未完待续~
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