本帖最后由 gongzhiwen 于 2013-10-8 19:36 编辑
用IR2130作为直流无刷电机的驱动芯片，高端MOS采用自举原理。想将控制电路和驱动电路隔离开来，所以加了光耦进行隔离。由于PWM波频率为25KHz（40us）,一般的光耦速度不够，于是选择了ACSL6400，将六路PWM波形隔离后送入IR2130，
当设置周期40us,不同占空比时，测相应的高端MOS管g极的波形，发现不同占空比现象不同，在波形低电平时，总会有个凸峰。但当占空比很大时（大于60%），就没有那种凸峰了。图中二极管用的是1N4148，自举电容1uF，0.1uF，0.01uF都试过了，现象依旧。如下图所示20%占空比时波形：
如下图所示40%占空比时波形：
如下图所示80%占空比时的波形：
猜想会不会跟自举电容的充放电时间有关系呢？求助各位大牛们，感谢感谢！
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