关于集成电路的几个问题

只看该作者 · 2013-10-13 15:44

1.单管DRAM读期间位线充电至1.25V,NMOS导通,位线电容和存储电容两者的电荷重新分配,我看到一个公式是当存储电容为0时位线的电压变化等于1.25*C存/C存+C位,其中C存/C存+C位为电荷传递率.这个公式看不懂当写入一个1到单元时,会损失一个阈值电压,为什么
2.MOS管饱和区沟道已经被夹断了,为什么还有电流而且还是恒定的?沟道上的电压为什么是VGS-VR(VR为阈值电压)
3.MOS管的电容截止时为栅与体之间的电容，导通时栅与体的电容为0，饱和时栅与漏的电容下降，栅与源的电容增加，这是为什么

只看该作者 · 2014-5-29 13:23

只看该作者 · 2014-6-14 17:03

既然路过了一定要给你打个招呼的我是板厂的不好意思无法回答请去PCB技术去提问吧

关于集成电路的几个问题

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