麻烦大家帮忙看看，这个诡异的问题！

只看该作者 · 2013-10-19 16:36

只看该作者 · 2013-10-19 16:41

如图，只要D8接上，开关就失效。VBAT=4V，DC-IN是接充电座的，浮空。只要D8接上，DC-in会有0.6v的电压Q6处于导通状态。求指导！

1万 · 2013-10-19 17:30

1. 为何不用反向漏电流更小的做D8D7
2. 即便用了5819，即便DC-in有0.6V，也没大问题
3. “开关就失效”是什么意思

只看该作者 · 2013-10-19 18:04

都不明白你想表达什么意思，具体是实现什么功能。先说你想实现什么功能，实际你的测试是什么样的，大家才好帮你分析

只看该作者 · 2013-10-19 18:14

本帖最后由 gcxzhz 于 2013-10-19 21:36 编辑

（1）开关打开 DC3.8V和VBAT4.0v就直接接一起了（你原来是这样的吗）其次问题出在d7上不论什么时候 d7流过电流（DC3.8V）q7导通 q6一直是导通的（主要是VBAT4.0v）（2）开关关闭， d7流过电流（DC3.8V）q7导通 q6一直是导通的

只看该作者 · 2013-10-19 19:38

gcxzhz 发表于 2013-10-19 18:14
（1）开关打开 DC3.8V和VBAT4.0v就直接接一起了（你原来是这样的吗）其次问题出在d7上不论什么时候 d7流 ...

1.DC-3.8只是个网络，2.DC_IN是接充电座的，没插入充电头为浮空。3.只要一接上D8，Q6就导通。

只看该作者 · 2013-10-19 19:44

gcxzhz 发表于 2013-10-19 18:14
（1）开关打开 DC3.8V和VBAT4.0v就直接接一起了（你原来是这样的吗）其次问题出在d7上不论什么时候 d7流 ...

我还是说明白点吧！
1.DC_3.8是个网络，只有开关闭合才会有电压等于VBAT=4v。
2.不接D8时，只有开关闭合，Q6才会导通。
3.我现在想实现的是，在开关断开的时候,DC_IN有电压（即充电的时候）Q6导通。
4.现在的问题是，我接上D8，不充电（即DC_IN浮空）开关断开,Q6导通。我搞不清为什么，测量DC_IN有0.6V的电压。

1万 · 2013-10-19 20:14

还是不明白。

只看该作者 · 2013-10-19 22:03

本帖最后由 gcxzhz 于 2013-10-19 22:12 编辑

你的问题:说明电容上的电压不为0应该为0.6v以上。即你测得的电压为0.6v(此处可以分析为电压表的阻值为无穷大。二极管正向导通压降为0，测得是R55 2端口的电压)（有可能使Q7导通）

你可以在Q7的基极 R55的1端向下拉个下拉电阻，
按你的说法是开关断开（dc_in浮空电压应该为零实际上有0.6v 可以通过一个较大阻值的电阻拉低，下拉一下）
测一下dc3.8v上有无电压是否高于1.4v ，若没有的话是不是因为电容的原因，电容一直有电（测一下电容电压如果电压为0的话 dc—in接下拉就可以了（电压理论应该为0v））
如果不为0则q7一直导通，可以加个下拉电阻（提高稳定性，前提是dc-in应该为0v），要注意分压还要保证在开关关闭和dc-in的时候q7能导通

上面谢谢lgz2006的批评指点打字快了打错了以后会注意的

只看该作者 · 2013-10-19 22:13

我也不明白啊....
0.6V的电压对你的电路有什么不良影响吗?若有就加一个100K的电阻对地就没有了.
开关失效是指不想Q6导通是吗? DC_3.8v --- D7 ----R55 ---Q7这条支路会让Q6导通的.

1万 · 2013-10-20 07:25

楼主看仔细3楼，看看10楼，再加两条
4. 电路功能描述不清
5. 猜测不错的话，设计功能无法实现

1万 · 2013-10-20 10:55

loyou1993 发表于 2013-10-19 19:44
我还是说明白点吧！
1.DC_3.8是个网络，只有开关闭合才会有电压等于VBAT=4v。
2.不接D8时，只有开关闭合 ...

在Q7的B,E间并一个20K的电阻，试试。有没有改变。如漏电流引起，降低分流电阻，试试。

1万 · 2013-10-20 11:07

本帖最后由 zyj9490 于 2013-10-20 11:35 编辑

可以认定R57,56电阻取值及比例是不合理的，包和电流IC=4/510=7.84ua,取放大倍数50：IB=7.84/50=0.16ua,这样随便漏电流进去，导致输出反转。解决方案：取实现功能的Q7的基极电流为30UA，IC=1.5MA，R57+R56>4/1.5=2.6k，如R56=5.1k,R57=1K,560K的Q7的基极电阻改成51K，Q7的B ,E并一个20K电阻，确保抗干扰。进一步降低其他漏电流流进基极。

1万 · 2013-10-20 11:21

在高阻或低功耗设计时，务必要考量漏电流的影响，本例就是典型一个。最好电阻不要超过200K，如要采用，还是要多想想有源器件的漏电流的影响。

1万 · 2013-10-20 12:26

d6是肖特基管，漏电流是挺大的，用硅二极管就比它小，不知有什么意图呢，是防反向的还是用硅二极管，

麻烦大家帮忙看看，这个诡异的问题！

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