以前没有注意过单片机IO口的读写的具体情况，最近因为一个小问题涉及到了IO端口的问题，在论坛上也看了很多相关的帖子，讲得也很详细，但就是还有一点我没想明白，想请教一下这里的大侠们。（上图是截自“suoma”的帖子里的，特此说明）
就是当我要向外输出高电平时，内部总线上是高电平，经过锁存器输出的Q非就是低电平，即T2的栅极为低电平，T2就截止了。而因为控制MUX的控制信号为低电平（才能使T2的栅极与Q非相接），所以T1栅极那的与门应该是输出低电平的，所以T1也被截止吧？那P0.n口应该是高阻态的，怎么就会输出高电平了？这样的情况好像应该是P0.n作为输入时的情况啊。。。。
此电路的输出应该是推挽结构吧？那就是说T1和T2应该是一个导通时另一个截止、一个截止时另一个导通，这样对于输出时才能说得通（内部总线输出1时，T2截止T1导通，输出高电平；内部总线输出0时，T1截止T2导通，输出低电平）。那这样的话控制T1的那个与门就应该有输出高电平的情况（使T1导通），但且不说“地址/数据”端此时不用（因为这时P0是作为普通IO，不是外扩存储器的情况），“控制”信号那也得是1吧，那这样的话MUX不就被控制把T2栅极连接到反相器的输出端了吗？但是作为普通IO口用时MUX不应该是一直使T2与Q非连起来吗？
我表达能力有限，不知道说的清楚不清楚，可能是我哪个地方理解错了，欢迎大家来纠正讨论！
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