一个MOS的驱动电路,高分求评价分析

只看该作者 · 2013-10-23 16:58

我这里所说的驱动电路是指图片当中的VT0和VT1组合起来驱动另外的一个MOS(在本例子是指VT3)
不是指三极管8050驱动VT0和VT1
我图片使用两个二极管串联起来再输出去(没有使用GND),是想提高VT3的S脚电位,抵消VT1压降

只看该作者 · 2013-10-23 17:06

我图片使用两个二极管串联起来再输出去(没有使用GND),是想提高VT3的S脚电位,抵消VT1压降,更可靠地在关闭VT3的

2万 · 2013-10-23 21:49

图真乱
把主电路画完；
“我图片使用两个二极管串联起来再输出去(没有使用GND),是想提高VT3的S脚电位,抵消VT1压降”
驱动各点的电位是跟着主电路的电位的，你想让你的主电路跟着驱动走么？

1万 · 2013-10-23 23:48

优待优化

只看该作者 · 2013-10-24 08:35

VT0和VT1为推挽驱动VT3以消除栅极电容的影响,

1万 · 2013-10-24 09:10

本帖最后由 airwill 于 2013-10-24 09:15 编辑

看得出, 楼主是动了不少脑筋的.
自己设计了一个驱动电路. 目标是得到性能比较好的隔离驱动电路.
但是, 这里面还是有很多问题.
最大的问题是, 开关过程中, VT0,VT1 的直通问题!
另外最后驱动的开通能力还是很差.
所以, 这个电路的设计是失败的. 给应该常用的电路参考一下

1万 · 2013-10-24 09:43

图太丑了。。。
木看懂那俩1K电阻干嘛用
更没看懂这样做的意义何在。。。。

1万 · 2013-10-24 10:15

你的想法太好了，图画的也好。

只看该作者 · 2013-10-24 10:38

本帖最后由 los 于 2013-10-24 10:41 编辑

谢谢6楼的指点
你说到最大的问题是, 开关过程中, VT0,VT1 的直通问题!
这个问题暂时打一个问号!! 我也不敢下结论
我也觉得可能会有短暂的处于线性放大区,问题也不会严重到直通现象,我本来也想串联加入电阻,
但是没有地方添加电阻,所以就没有加
这个短暂的直通,是否可以忽略,我也不清楚,这也是我发帖子原因

我也评价一下6楼的电路图
关闭的时候Q4-8050CE两端的电压0.2V,和Q6-8550的BE两端的电压有0.6V,
两个电压叠加起来就有0.8V,我觉得这个数字高了一点
所以在电路设计的时候,作为关闭的下管,我就尽量选择了N-MOS,或者NPN管
这样关闭的时候就仅有大约0.2V

另外一个就是图腾柱选择的问题
我的N-MOS P-MOS PK 6楼的8050和8550
依我的观察同等尺寸的BJT和MOS相比
MOS的电流必然比BJT大
下面提供一分上海贝岭的BLM3415 资料
这个小小SOT23封装的N-MOS,他的电流就可以达到4安培
TO92封装的8050 8550却达不到这个电流
如果我把N-MOS和P-MOS更换成T092封装的MOS,电流就更大
因此我觉得,在驱动能力方面
我选择低压MOS优胜于6楼的8050 8550

回答7楼问题
木看懂那俩1K电阻干嘛用
左边的那个1K的电阻
是三极管8050的集电极输出电阻
右边的那个,当然也可以选择小阻值的电阻,就相当于直通了

回答3楼的问题
驱动各点的电位是跟着主电路的电位的，你想让你的主电路跟着驱动走么？

MOS导通的时候
VT3的G极的电压是18V
VT3的S极的电压是0.6V+0.6V=1.2V
VT3的G极-S极的电压是18V-1.2V=16.8V
另外我把那两个钳位二极管画电路板画上去,实在是不行
我就把这两个串联二极管直通,就相当于使用GND输出

如果是关闭的时候电流方向是
18V->3K的电阻 ->二极管->图腾柱的中点->地

BLM3415_V2.0_en.pdf (527.78 KB)