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最近在学习ARM单片机的bootload引导模式，单片机是ST公司生产（基于Cortex－M3内核），型号为STM32F103ZET6。根据资料介绍有3种引导模式，于是自己在开发板（红牛3代开发板）上测试。我是一个初学者，测试主要是了解它的引导模式和内存映射状况。但是在SRAM引导模式下调试程序时就出现了下面的问题，弄了一段时间还是不明所以，还望各位前辈指导。 故障：SRAM启动模式，调试程序时Delay延时出错 测试目的：使用SRAM启动模式，调试程序，使得单片机进行LED灯闪烁，灯亮延时1ms，灯灭延时1ms。 故障现象：单片机设置为SRAM启动模式，程序烧录后，进行Deug，可以实现LED的亮灭，但是在延时时间上出现错误，通过示波器查看延时时间为8.2ms闪烁1次。之前使用Flash启动模式测试过LED，延时时间为1ms。 不知问题是什么原因造成，使用内置SRAM启动模式步骤及相关配置是否有问题？ 使用SRAM启动模式步骤： 修改ROM，RAM分区： ![]()
然后添加ram配置文件： ![]()
![]()
配置向量表偏移寄存器内容（定义VECT_TAB_SRAM）： ![]()
配置调试数据：
![]()
delay程序入下：
//
// 代表每毫秒Delay函数内的for循环次数
// 基于72MHz内核时钟的ARM单片机STM32F10X
//
#define CYCLES_PER_MS ((uint16_t)8200)
void Delay (uint16_t nMilliseconds)
{
uint16_t nCycles;
while (nMilliseconds--) {
for(nCycles = 0; nCycles < CYCLES_PER_MS; nCycles++); // Delay one millisecond
}
}
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