好吧。关于MOS管。我已经彻底晕了！开关模式和线性模式？

只看该作者 · 2013-11-4 16:02

1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么？那么从ID=f（VDS）的特性曲线上来看，饱和区需要VDS有一定压降，但是又说开通状态MOS管压降很小VDS接近于0？
2.VGS>4v只是大于开启电压，并没有让管子完全导通，要9V以上才能完全导通？VGS和饱和区有个P关系啊，从特性曲线上看,只要VDS>一定值，VGS>4V就到饱和区了，为什么要到9V才完全导通？

看这个东西看了一天了，网上好多人说的不一样，这个说他说的不对，那个说他说的不对，完全晕了啊。
到底是怎样的啊？

只看该作者 · 2013-11-4 16:04

附上一张IRF520n，大功率MOS的特性曲线。

只看该作者 · 2013-11-4 16:17

这个曲线图是特定的测试电路的出来的，在器件手册里有测试电路图。
VGS你想象成水龙头的开关，把水龙头开关从最小拧到最大，看水流的情况你应该可以明白上面曲线的意思。
VDS你想象成水压。
以上愚论，仅供参考。。。。

只看该作者 · 2013-11-4 16:53

guangbiao 发表于 2013-11-4 16:17
这个曲线图是特定的测试电路的出来的，在器件手册里有测试电路图。
VGS你想象成水龙头的开关，把水龙头开关 ...

这样想了一下确实很好理解了。
那么，还是想纠结一下，比如VGS=10v,这时候完全导通，那么ID是由VGS决定的呢，还是有电路中其他元件决定？这时候MOS管是工作在哪一个区域？

只看该作者 · 2013-11-4 17:48

VGS=10V，ID是由VDS决定的，但不能超过器件规定的电流最大值，不然管子要烧掉。
MOS管作为开关使用时，主要是工作在饱和区及截止区。
若做放大用，主要是工作在线性区。
你可以理解成拧水龙头的动作，如果你非常快速的拧水龙头开关，从水龙头流出的水流，要不就是没有，要不就是很大，这就是工作在饱和区及截止区；如果你慢慢的拧水龙头开关，那水龙头流出的水流，变化就比较"有规律"，这就是工作在线性区。
以上愚见，仅供参考。

只看该作者 · 2013-11-4 19:16

guangbiao 发表于 2013-11-4 16:17
这个曲线图是特定的测试电路的出来的，在器件手册里有测试电路图。
VGS你想象成水龙头的开关，把水龙头开关 ...

通俗一等

只看该作者 · 2013-11-4 20:39

本帖最后由 luofeng2g 于 2013-11-4 21:04 编辑

mos作为开关管，导通时工作在可变电阻区。。。。如下：

只看该作者 · 2013-11-4 21:05

再不懂，就自己去看https://bbs.21ic.com/forum.php?mod=viewthread&tid=336308

1万 · 2013-11-4 21:12

yf823547490 发表于 2013-11-4 16:53
这样想了一下确实很好理解了。
那么，还是想纠结一下，比如VGS=10v,这时候完全导通，那么ID是由VGS决定的 ...

工作于可变电阻区。
ID基本由外电路决定。

1万 · 2013-11-4 21:13

开关模式工作于可变电阻区和截止区

只看该作者 · 2013-11-5 09:38

LS正解……

只看该作者 · 2013-11-5 10:44

谢谢大神们的回复，明白了很多东西。
这里得出一个结论性的东西，大神们看对么：1. 无论VGS多少，MOS管都可以工作在可变电阻区：只要VGS（>vt）决定的最大ID，大于外部电路的需求。此时ID由外部电路决定。 VDS也由外部电路决定，RDS=VDS/ID. 而RDS（on）参数给出的只不过是特定ID,VGS情况下的参考值。
2.当VGS决定的最大ID，小于外部电路的需求时，ID=VGS所决定的最大ID，VDS由外部电路决定。RDS同样=VDS/ID。

拿一个例子来说明

灯泡的额定电流为4A，
1.如果此时令VGS=4.5V，所决定的的最大ID=1A，小于灯泡需要的额定电流，那么此时ID=1A，灯泡上分到的压降约为3V，剩下的9V就会分到VDS，所以对应于VDS=9v,VGS=4.5V,ID=1A，MOS管工作在饱和区，这时候RDS=VDS/ID，就很大，功率很大，所以发烫。
2.如果此时令VGS=5V，所决定的的最大电流ID=4.2A，满足灯泡需要的额定电流，那么此时ID由外部电路即灯泡决定，ID约为4A，灯泡上分到的压降接近于12V，所以VDS上的压降就接近于0，其对应的RD就很小，相当于导通状态。（但是由于VGS=5V,VDS很小的话，对应的ID不一定就能达到4.2A了，所以网上说9V才能完全导通，就是因为VGS越大，同样VDS条件下，ID越大，9V达到最大，保证ID可以达到需求。）

只看该作者 · 2013-11-5 11:01

好吧，这总结有些磕磕巴巴的。 5V的时候，最大电流ID=4.2A，是在VDS>(VGS-VT)的条件下。。如果VDS小于VGS-VT. 对应相应曲线，不一定能达到最大电流4A的。
所以VGS越大越好，相同VDS下对应能达到的ID越大；。。。好绕啊，其实就和VGS增大，RDS减小，保证VDS<VGS-VT，让MOS管工作在可变电阻区。

只看该作者 · 2013-11-5 14:25

楼主的思路是正确的。
通常Vgs是主动控制的，Id是由外部电路决定，Vds是被动接受的。
当外部电路需求的Id值超出了Vgs所能提供的，MOS由饱和区进入线性电阻区。

只看该作者 · 2015-9-12 11:22

james1111 发表于 2013-11-5 14:25
楼主的思路是正确的。
通常Vgs是主动控制的，Id是由外部电路决定，Vds是被动接受的。
当外部电路需求的Id值 ...

应该是由线性电阻区进入饱和区吧

只看该作者 · 2015-9-12 11:23

yf823547490 发表于 2013-11-5 10:44
谢谢大神们的回复，明白了很多东西。
这里得出一个结论性的东西，大神们看对么：1. 无论VGS多少，MOS管都可 ...

总结得不错

只看该作者 · 2015-9-12 11:24

应该称为可变电阻区，不该称为线性电阻区

只看该作者 · 2016-4-14 11:54

这贴子太有含量了

只看该作者 · 2016-4-17 07:57

类似于三极管的偏置电流，基极控制集电极

只看该作者 · 2016-4-23 22:06

yf823547490 发表于 2013-11-5 10:44
谢谢大神们的回复，明白了很多东西。
这里得出一个结论性的东西，大神们看对么：1. 无论VGS多少，MOS管都可 ...

u^2(R灯泡+RMOS),UGS越大，RMOS越小，当然I恒肯定越大，但是RMOS：R灯泡减小了，整体的电路功率增大，但是MOS比例功率减小，相对不热，起码不会烫。

好吧。关于MOS管。我已经彻底晕了！开关模式和线性模式？

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