谢谢大神们的回复，明白了很多东西。
这里得出一个结论性的东西，大神们看对么：1. 无论VGS多少，MOS管都可以工作在可变电阻区：只要VGS（>vt）决定的最大ID，大于外部电路的需求。 此时ID由外部电路决定。 VDS也由外部电路决定，RDS=VDS/ID. 而RDS（on）参数给出的只不过是特定ID,VGS情况下的参考值。
2.当VGS决定的最大ID，小于外部电路的需求时，ID=VGS所决定的最大ID，VDS由外部电路决定。RDS同样=VDS/ID。
拿一个例子来说明灯泡的额定电流为4A，
1.如果此时令VGS=4.5V，所决定的的最大ID=1A，小于灯泡需要的额定电流，那么此时ID=1A，灯泡上分到的压降约为3V，剩下的9V就会分到VDS，所以对应于VDS=9v,VGS=4.5V,ID=1A，MOS管工作在饱和区，这时候RDS=VDS/ID，就很大，功率很大，所以发烫。
2.如果此时令VGS=5V，所决定的的最大电流ID=4.2A，满足灯泡需要的额定电流，那么此时ID由外部电路即灯泡决定，ID约为4A，灯泡上分到的压降接近于12V，所以VDS上的压降就接近于0，其对应的RD就很小，相当于导通状态。（但是由于VGS=5V,VDS很小的话，对应的ID不一定就能达到4.2A了，所以网上说9V才能完全导通，就是因为VGS越大，同样VDS条件下，ID越大，9V达到最大，保证ID可以达到需求。）
|
楼主
