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晶振负载电容对频率的影响。

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楼主
hittydong|  楼主 | 2007-9-22 13:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
  对PIC单片机外接晶体振荡器一般接15-30pF负载电容;为了获取更快的起振时间,CLKOUT接电容可比CLKIN接电容大一点,同时也降低了环路增益;这个电容会对晶振频率产生微弱影响,根据LC谐振,增大负载电容,频率会微弱的减小,是这样吧?

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沙发
hittydong|  楼主 | 2007-9-24 09:48 | 只看该作者

怎么没人回呢?

我把电容从15逐步升到30pF,并用频率计测量,频率偏移非常小,百万分之一都不到……

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板凳
lihui19839| | 2007-9-25 21:38 | 只看该作者

频偏问题

晶体的频率跟负载电容有很大关系,需要多大的负载电容需要根据你需要的频率和牵引系数来计算。一般来讲,负载电容越大,实际的频率就会往下降,对于高频率的晶体,负载影响比较大,而低频率的晶体,负载变化对实际输出的频率影响不会很大,频偏也会很小。楼主使用的晶体频率应该比较低,所以会出现频偏小的现象。

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