Pmos管问题

登录 · 发表于 2013-11-9 15:12

我想Vcc输入为DC110V，请问Q2用什么三极管好！因为我Pwm脚是由单片机输出的，用普通的三极管有问题吗？

发表于 2013-11-9 15:37

Q1只能用NMOS。R3装到上面。参数算一下。

发表于 2013-11-9 15:40

shalixi 发表于 2013-11-9 15:37
Q1只能用NMOS。R3装到上面。参数算一下。

为什么？因为我的负载有一根要接地，所以用N管不行...

发表于 2013-11-9 15:43

shalixi 发表于 2013-11-9 15:37
Q1只能用NMOS。R3装到上面。参数算一下。

这个电路当VCC为24v的时候是可以的，但是高压我没弄过...
我怕当q2截止的时候，Q2会挂掉....

发表于 2013-11-9 15:44

，路过打酱油。

发表于 2013-11-9 15:47

本帖最后由 shalixi 于 2013-11-9 15:48 编辑

xuedeyumu 发表于 2013-11-9 15:40
为什么？因为我的负载有一根要接地，所以用N管不行...

你这样的电路很难确定R1，R2，Q2。不可靠。

你现在的参数，一通电就挂。

发表于 2013-11-9 15:53

如果一定要PMOS，那再加一个三极管。电路自己搭一下。

发表于 2013-11-9 15:53

shalixi 发表于 2013-11-9 15:47
你这样的电路很难确定R1，R2，Q2。不可靠。

你现在的参数，一通电就挂。 ...

请问有什么电路就是我输入5v的pwm信号，输出可以是高压的pwm（其中一个是地线的），
我的模拟电路不是很好,希望可以帮帮忙....

发表于 2013-11-9 15:55

shalixi 发表于 2013-11-9 15:53
如果一定要PMOS，那再加一个三极管。电路自己搭一下。

在三级管前级加吗？起什么作用?

发表于 2013-11-9 16:00

xuedeyumu 发表于 2013-11-9 15:55
在三级管前级加吗？起什么作用?

第一级低压的，与信号PWM和后面第二级的三极管配，第二级高压的与第一级三极管和后面的PMOS配。

发表于 2013-11-9 16:09

shalixi 发表于 2013-11-9 16:00
第一级低压的，与信号PWM和后面第二级的三极管配，第二级高压的与第一级三极管和后面的PMOS配。 ...

不是很明白，就是加多一级是不是相当于加到第一级，相当于光耦起隔离作用，其实不加也是可以的！这是我的理解不知道对不对....

登录 · 发表于 2013-11-9 16:47

发表于 2013-11-9 16:59

Lgz2006 发表于 2013-11-9 16:47

恩，是我弄错的！就是我想请教你一个问题就是当Q2截止的时候，VCC的电压（110V）会不会全部都压到Q2，会不会使Q2烧坏！Q2为9014、8050等普通的三极管...

发表于 2013-11-9 17:06

Q2改光耦更稳当。

发表于 2013-11-9 17:13

Lgz2006 发表于 2013-11-9 16:47

R1并一个4V的稳压管。

发表于 2013-11-9 17:16

xmar 发表于 2013-11-9 17:06
Q2改光耦更稳当。

恩，到时可以试一下！

发表于 2013-11-9 17:16

shalixi 发表于 2013-11-9 17:13
R1并一个4V的稳压管。

能解释一下吗？

发表于 2013-11-9 17:24

不可靠的原因是三极管的穿透电流范围很大。

发表于 2013-11-9 19:30

从你的应用来看如果负载接地的话，应该有２种方法：
１。使用NMOS，低端驱动，找一个Vgs差不多的管子应该问题不大。
２。使用PMOS，高端驱动，这样的话，可能就得保护那个三极管了，至少得找Vce耐压高的管子，但是实际上１１０Ｖ好像不多，可以使用稳压管，保护。使电压降在上端的电阻上。

但像这种情况应用，最好使用opto隔离一下。

发表于 2013-11-10 07:59

xuedeyumu 发表于 2013-11-9 16:59
恩，是我弄错的！就是我想请教你一个问题就是当Q2截止的时候，VCC的电压（110V）会不会全部都压到Q2，会 ...

楼主电路参数不详，不做详实设计
1. Q2可用2N5551，高反压，很常见的
2. 关注R1/R2比值，使得VR1大约10~15V——视管子而定
3. 校验穿透电流*R1值，很容易满足的

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