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[电路/定理]

Pmos管问题

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楼主
xuedeyumu|  楼主 | 2013-11-9 15:12 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
PMOS管, 三极管, AC, PWM, 单片机
我想Vcc输入为DC110V，请问Q2用什么三极管好！因为我Pwm脚是由单片机输出的，用普通的三极管有问题吗？

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沙发
shalixi| | 2013-11-9 15:37 | 只看该作者
Q1只能用NMOS。R3装到上面。参数算一下。

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板凳
xuedeyumu|  楼主 | 2013-11-9 15:40 | 只看该作者
shalixi 发表于 2013-11-9 15:37
Q1只能用NMOS。R3装到上面。参数算一下。

为什么？因为我的负载有一根要接地，所以用N管不行...

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地板
xuedeyumu|  楼主 | 2013-11-9 15:43 | 只看该作者
shalixi 发表于 2013-11-9 15:37
Q1只能用NMOS。R3装到上面。参数算一下。

这个电路当VCC为24v的时候是可以的，但是高压我没弄过...
我怕当q2截止的时候，Q2会挂掉....

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5楼
黄小俊| | 2013-11-9 15:44 | 只看该作者
，路过打酱油。

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6楼
shalixi| | 2013-11-9 15:47 | 只看该作者
本帖最后由 shalixi 于 2013-11-9 15:48 编辑
xuedeyumu 发表于 2013-11-9 15:40
为什么？因为我的负载有一根要接地，所以用N管不行...

你这样的电路很难确定R1，R2，Q2。不可靠。

你现在的参数，一通电就挂。

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7楼
shalixi| | 2013-11-9 15:53 | 只看该作者
如果一定要PMOS，那再加一个三极管。电路自己搭一下。

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8楼
xuedeyumu|  楼主 | 2013-11-9 15:53 | 只看该作者
shalixi 发表于 2013-11-9 15:47
你这样的电路很难确定R1，R2，Q2。不可靠。

你现在的参数，一通电就挂。 ...

请问有什么电路就是我输入5v的pwm信号，输出可以是高压的pwm（其中一个是地线的），
我的模拟电路不是很好,希望可以帮帮忙....

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9楼
xuedeyumu|  楼主 | 2013-11-9 15:55 | 只看该作者
shalixi 发表于 2013-11-9 15:53
如果一定要PMOS，那再加一个三极管。电路自己搭一下。

在三级管前级加吗？起什么作用?

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10楼
shalixi| | 2013-11-9 16:00 | 只看该作者
xuedeyumu 发表于 2013-11-9 15:55
在三级管前级加吗？起什么作用?

第一级低压的，与信号PWM和后面第二级的三极管配，第二级高压的与第一级三极管和后面的PMOS配。

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11楼
xuedeyumu|  楼主 | 2013-11-9 16:09 | 只看该作者
shalixi 发表于 2013-11-9 16:00
第一级低压的，与信号PWM和后面第二级的三极管配，第二级高压的与第一级三极管和后面的PMOS配。 ...

不是很明白，就是加多一级是不是相当于加到第一级，相当于光耦起隔离作用，其实不加也是可以的！这是我的理解不知道对不对....

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12楼
Lgz2006| | 2013-11-9 16:47 | 只看该作者

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13楼
xuedeyumu|  楼主 | 2013-11-9 16:59 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2013-11-9 16:47

恩，是我弄错的！就是我想请教你一个问题就是当Q2截止的时候，VCC的电压（110V）会不会全部都压到Q2，会不会使Q2烧坏！Q2为9014、8050等普通的三极管...

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Lgz2006 2013-11-9 17:18 回复TA
必须是高反压管 
14楼
xmar| | 2013-11-9 17:06 | 只看该作者
Q2改光耦更稳当。

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15楼
shalixi| | 2013-11-9 17:13 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2013-11-9 16:47

R1并一个4V的稳压管。

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Lgz2006 2013-11-9 17:17 回复TA
加稳压管好，不知该几伏 
16楼
xuedeyumu|  楼主 | 2013-11-9 17:16 | 只看该作者
xmar 发表于 2013-11-9 17:06
Q2改光耦更稳当。

恩，到时可以试一下！

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17楼
xuedeyumu|  楼主 | 2013-11-9 17:16 | 只看该作者
shalixi 发表于 2013-11-9 17:13
R1并一个4V的稳压管。

能解释一下吗？

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18楼
shalixi| | 2013-11-9 17:24 | 只看该作者
不可靠的原因是三极管的穿透电流范围很大。

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19楼
shell.albert| | 2013-11-9 19:30 | 只看该作者
从你的应用来看如果负载接地的话，应该有２种方法：
１。使用NMOS，低端驱动，找一个Vgs差不多的管子应该问题不大。
２。使用PMOS，高端驱动，这样的话，可能就得保护那个三极管了，至少得找Vce耐压高的管子，但是实际上１１０Ｖ好像不多，可以使用稳压管，保护。使电压降在上端的电阻上。

但像这种情况应用，最好使用opto隔离一下。

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20楼
Lgz2006| | 2013-11-10 07:59 | 只看该作者
xuedeyumu 发表于 2013-11-9 16:59
恩，是我弄错的！就是我想请教你一个问题就是当Q2截止的时候，VCC的电压（110V）会不会全部都压到Q2，会 ...

楼主电路参数不详，不做详实设计
1. Q2可用2N5551，高反压，很常见的
2. 关注R1/R2比值，使得VR1大约10~15V——视管子而定
3. 校验穿透电流*R1值，很容易满足的

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