打印
[稳压电源]

过压保护电路

[复制链接]
2039|12
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
如图所示,是一个简易的过压保护电路,当输入低于7.5V时,稳压管没有正常工作,Q2基极与发射级的压降小于0.7V,即小于Q2的导通电压,因此Q2截止,此时,Q1的栅极电位与漏极电位相等,约为Vin,因此,Vgs>0.78V,满足Q1的导通条件,此为正常输出.
当输入高于7.5V(实际阀值可能更高)时,稳压管正常工作,Q2基极与发射级的压降大于0.7V,Q2导通,甚至饱和导通,此时Q1的栅极电位接近0V,Vgs<0.78V,Q1截止,此时形成保护。


问题:
       当使用5V适配器作为输入时,Q1的栅极与源极之间必须满足0.78V的压降,使得Q1的漏极与源极之间有0.78V的压降,导致输出电压不足,请大侠们集思广益,出谋划策,更改该电路,要求不能增加一个晶体管。感激不尽。

2.bmp (810.97 KB )

2.bmp

相关帖子

沙发
不亦心| | 2013-11-11 18:38 | 只看该作者
这里貌似要用PMOS。。。。。

使用特权

评论回复
板凳
luzhch| | 2013-11-11 19:10 | 只看该作者
不亦心 发表于 2013-11-11 18:38
这里貌似要用PMOS。。。。。

按他叙述的过程来看是要用Pmos

使用特权

评论回复
地板
yangdiandong| | 2013-11-11 22:27 | 只看该作者
这个电路的nmos 能工作在开关区吗?  就算你把nmos换为pmos 这也是个欠压保护电路

使用特权

评论回复
5
LittleSnowBall| | 2013-11-11 22:31 | 只看该作者
第一,你是做过压还是欠压?从描述看,大于7.5V工作是做欠压保护,
第二,Vgs大于0.78怎么来的?,0.78能使mos管打开么?,我工作过程中没发现过这样的mos管,还有我觉得你mos管应该想用Pmos的,画成了Nmos,要在正端驱动Nmos,要加额外的升压电路,建议换成Pmos,
第三,R1明显过大,稳压管有个工作电流,大概几毫安,可以计算7.5V下R1的电流,明显不到1毫安,还有R3电阻最好小点

使用特权

评论回复
6
zhanghoujian|  楼主 | 2013-11-13 14:49 | 只看该作者
LittleSnowBall 发表于 2013-11-11 22:31
第一,你是做过压还是欠压?从描述看,大于7.5V工作是做欠压保护,
第二,Vgs大于0.78怎么来的?,0.78能使 ...

由于大家都是同一疑问,所以解释一下:
1、用的时N沟道的管子,si2300;N沟道管子的导通条件时Vgs>Ugs(th),有规格书可查到,该管子的Ugs(th)为0.78V;
2、关于过压还是欠压,很明显,当管子导通时,电路是正常供电的,即Vin与Vout形成通路,管子关断时电路就不供电了;
3、过压时,稳压管开始工作,稳定在6.8V,因此,R1上有一个压降,使得Q2导通,因此Ug的点位为零。Q1关断。
4、关于R1的阻值问题,我觉得,R1应该取大一点,甚至可以取100K,稳压管工作电流大部分通过R2、Q2然后到地,使得Q2能工作在饱和状态。相对应的,R2可以取小一点。

使用特权

评论回复
7
LittleSnowBall| | 2013-11-13 21:36 | 只看该作者
zhanghoujian 发表于 2013-11-13 14:49
由于大家都是同一疑问,所以解释一下:
1、用的时N沟道的管子,si2300;N沟道管子的导通条件时Vgs>Ugs(th) ...

你可以先照你的电路图仿真一下,看是不是你判断的那样,或者照上面搭个电路图看看结果,

使用特权

评论回复
8
yangdiandong| | 2013-11-13 23:46 | 只看该作者
、用的时N沟道的管子,si2300;N沟道管子的导通条件时Vgs>Ugs(th),有规格书可查到,该管子的Ugs(th)为0.78V


假设上面你说的是对的,  你想过nmos  的s端电压是多少? 你想让mos工作在可变电阻区吗?

使用特权

评论回复
9
rener| | 2013-11-14 07:23 | 只看该作者
楼主的问题,很多人提出来过。可惜没有好办法解决

使用特权

评论回复
10
zhanghoujian|  楼主 | 2013-11-14 10:14 | 只看该作者
yangdiandong 发表于 2013-11-13 23:46
、用的时N沟道的管子,si2300;N沟道管子的导通条件时Vgs>Ugs(th),有规格书可查到,该管子的Ugs(th)为0.78V
...

不存在工作在可变电阻区的问题,管子要么截止,要么是工作在预夹断那条轨迹上,除非截止,否则栅极电位与漏极电位是相等的;
还有一个问题:当负载需要的电流比较大时,源极电位会下降,使得Vgs变大,有大电流从管子流过;
基本上,这是一个非常失败的设计,我们公司还有另一个非常简单的设计,就是增加一个晶体管,用晶体管状态来控制,非常方便。

使用特权

评论回复
11
chaorendai| | 2013-11-16 11:33 | 只看该作者
将Q1,换成继电器,当Q2导通,继电器打开,否则关闭

使用特权

评论回复
12
rener| | 2013-11-16 12:13 | 只看该作者
chaorendai 发表于 2013-11-16 11:33
将Q1,换成继电器,当Q2导通,继电器打开,否则关闭

继电器动作时间在十几毫秒,如果后面电路允许,是可以的

使用特权

评论回复
13
兰天白云| | 2013-11-16 15:09 | 只看该作者
LZ选用NMOS管本身就是错误的,因为Vgs>0.78V才进入导通区,而当输入电压只有5V,且负载工作电压又要求5V左右,那么就没有电压可以保证Vgs>0.78V,也就说明本电路是错误的,完全不符合设计要求

而采用PMOS是否可以,接着分析
PMOS完全导通要求Vgs<-0.78V,这个要求容易满足,只是完全关断的条件苛刻一点,这个电路用PMOS完全可以,其他电路都要大动。

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

2

主题

8

帖子

1

粉丝