谁能帮我解决这个问题我决定将我的积分倾囊相送

登录 · 发表于 2013-11-20 14:30

大家好，我有一个电路，是40mA的负载和60mA的负载切换工作的，但是电压都是12V！输入220V交流，我想使用阻容降压来实现！说一下实现的想法：
当BL与RD接通 LED通，当BL与BK接通且C与L导通时，FJ1负载工作！我现在按照这个电路图设计好后，R8取值820Ω R9取270Ω 发现只要BL和BK导通不论C与L是否接通，FJ1都工作！后来我又把R8换成100K R9换成75K ，也是一个效果！后来我干脆将MOS管去掉，直接通过光耦CE端带FJ1，发现BL与BK接通且C与L导通，FJ1就是不工作！请大家帮我分析下，我要如何更改！电路原理图，以及1N60和光耦EL817的规格书谢谢大家了！ R8，R9 按照2:1取值为什么不行？R7的电阻是不是不对？另外直接通过光耦CE端串接在FJ1上，是否可行？谁帮我解决了问题，我愿倾囊相送！

发表于 2013-11-20 14:32

自己顶没人回就一致顶

发表于 2013-11-20 14:41

Q2是MOS管？怎么是三极管的符号？

发表于 2013-11-20 14:44

qzlbwang 发表于 2013-11-20 14:41
Q2是MOS管？怎么是三极管的符号？

是MOS管是1N60 里面有规格书帮我看看吧谢谢你了大侠

发表于 2013-11-20 14:47

R9=20K R8=0 试试！

发表于 2013-11-20 14:51

R8属于画蛇添足之举！倒是MOS管栅极与地之间加个12V稳压管保护，以防止意外高电压加在栅极上是个可以考虑的措施。

发表于 2013-11-20 14:53

qzlbwang 发表于 2013-11-20 14:51
R8属于画蛇添足之举！倒是MOS管栅极与地之间加个12V稳压管保护，以防止意外高电压加在栅极上是个可以考虑的 ...

R8和R9 不是为了分压给MOS提供导通电压么？我这个原理图有问题么？

发表于 2013-11-20 14:59

场效应管属于电压控制器件。只要电压足够高就导通（当然要在栅极允许的电压之下，一般不能超过20V），电压足够低（<Vgs(th)）就认为是关断。按照你的R8R9取值又如何关断？

发表于 2013-11-20 15:04

1N60先拿掉，
示波器看R8 R9 中间的波形，你就明白了，

发表于 2013-11-20 15:04

取消R8后，光耦导通时MOS管栅极电位很低，接近0V，可以很可靠关断。而光耦截止时，栅极电位接近12V，沟道电阻很低，处于比较理想的导通状态。（按数据手册数据，10V时的沟道电阻小于11.5Ω）

发表于 2013-11-20 15:10

qzlbwang 发表于 2013-11-20 15:04
取消R8后，光耦导通时MOS管栅极电位很低，接近0V，可以很可靠关断。而光耦截止时，栅极电位接近12V，沟道电 ...

能否直接把FJ1和光耦的输出CE串接一起？直接用光耦控制取消MOS！我去试试你说的取消R8看看效果如何

发表于 2013-11-20 15:16

如果说FJ1的电流很小，那么可以直接用光耦控制，否则的话①光耦的输出端是否允许这么大的电流？②即便是光耦的电流允许这么大，那光耦的输入端是否也需要要足够大的输入电流才能驱动，那么输入的功耗要多大呢？（你的输入端不是要接220V吗？那你算算那个串联的降压电阻需要多大的功率？）

发表于 2013-11-20 15:26

qzlbwang 发表于 2013-11-20 15:16
如果说FJ1的电流很小，那么可以直接用光耦控制，否则的话①光耦的输出端是否允许这么大的电流？②即便是光 ...

谢谢你！对了我这个MOS管的极性没有画错把我画的时候是按照上 G 左D 右S来画图的

发表于 2013-11-20 15:31

你这根本就不是MOS管的画法！而是个NPN三极管！

发表于 2013-11-20 15:33

自己去看看数据手册上MOS管的符号是怎么画的！

发表于 2013-11-20 15:51

qzlbwang 发表于 2013-11-20 15:04
取消R8后，光耦导通时MOS管栅极电位很低，接近0V，可以很可靠关断。而光耦截止时，栅极电位接近12V，沟道电 ...

我试验了还是不行！我按照你说的取消了R8 把R9换成了20K ！当BL和BK导通的时候，FJ1就开始工作了，但是如果将C和L闭合，那么FJ1旋转的速度变慢！

发表于 2013-11-20 15:56

bingxiangyu 发表于 2013-11-20 15:51
我试验了还是不行！我按照你说的取消了R8 把R9换成了20K ！当BL和BK导通的时候，FJ1就开始工作了， ...

把R9换成100K试试！

发表于 2013-11-20 15:57

jjjyufan 发表于 2013-11-20 15:04
1N60先拿掉，
示波器看R8 R9 中间的波形，你就明白了，

什么意思呢我就想问问我现在要怎么做才能达到我想要的效果

发表于 2013-11-20 16:05

你得明白MOS开通的条件，你先看看波形再来

发表于 2013-11-20 16:08

原因是光耦在一周期内只有一小半时间是导通的，截止期间12V通过10K对C4充电，其后期电压已经高于Vgs(th)了，也就是处于微导通与截止的交替之中，所以FJ1就会慢速旋转。解决的办法有下面几种：1、增大R9。2、增大C4 。3在光耦输入端并联电解电容。

[整流与稳压] 谁能帮我解决这个问题 我决定将我的积分倾囊相送

本帖子中包含更多资源

相关帖子

浏览过的版块

涓涓之细流

经常做客

技术新星奖章

无冕之王奖章

奔腾之江水

十世金身

技术领袖奖章

荣誉元老奖章

坚毅之洋流

[整流与稳压] 谁能帮我解决这个问题我决定将我的积分倾囊相送