由于基准电路的输入电压最高可达到30V,而普通MOS管漏源和栅耐压为5V。而且为了使电流镜像更加匹配, P1、P2、P5、P7必须使用普通的MOS管。所以, 为了防止管子在高压时被击穿, 需在这些管子的漏源之间加入栅漏短接的厚栅氧MOS管作为保护管, 即PH1、PH2、PH3。 2 迟滞比较器(CS_COMP) 图3为迟滞比较器等效电路图, 其中VTH_H和VTH_L为BIAS模块提供的偏置基准电压, 而CS为电流采样模块提供的采样电压。电流采样和迟滞比较器模块是组成该芯片的核心模块, 通过这两个模块就可以很好的实现滞环电流控制。 图3 迟滞比较器等效电路图 电路工作时, 高端电流采样模块采样输出电流, 并按一定比例转化成采样电压CS, 当CS电压大于VTH_H时, P_OFF为高, P_ON为低, M1关M2开启, 此时COMP1_G负端输入VTH_L,并且此时由于P_ON为低, 功率管关断, LED电流开始减小, 采样电压也开始减小。当CS电压小于VTH_L时, P_OFF为低, P_ON为高, M1开启,M2关断, COMP_G负端输入VTH_H, 此时P_ON为高, 功率管开启, LED电流开始增大, 采样电压也开始增大。当CS电压大于VTH_H时, 迟滞比较器模块将重复上一个周期的动作。这样通过迟滞比较器就能产生一定占空比的方波来控制功率开关管关与断, 从而有效控制外部LED的电流大小。 此外, 高端电流采样和迟滞比较器模块需要有较高的单位增益带宽GBW, 从而提高电流采样和迟滞比较的速度, 这样就可以减少电路延迟,提高芯片的响应速度, 同时也提高了芯片输出电流精度。
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