描述
本方案采用高灵敏度的二位位敏传感器，器件是利用半导体的“横向效应”原理制作而成的，它的四个输出电极X1、X2、Y1、Y2相当于直角坐标系的XY轴。当器件接收的目标信号光斑位置变化时，器件的输出光电流也随着位置变化而线性地变化，为此准确地测出目标的位置。
特点：
大光敏面、无盲区
低暗电流、高响应度
输出线性好、高均匀性
X、Y方向信号互不影响
位置连续变化的、可测精度小于5m
原理和应用：
图1 原理简图
如图1所示当激光的光点照到器件上时，通过对X和Y方向上比较运算得出X方向即左右方向电压差V（L-R）=（V2+V3）-(V1+V4)，Y方向即上下方向的电压差V（B-T）=（V1+V2）-（V3+V4）。总电压V（SUM）=V1+V2+V3+V4，通过单片机对V（L-R）、V（B-T）和V（SUM）的采样，就可以判断这时候激光的偏离位置，在X方向偏离的位置△X=［d×V（L-R）］/［2×V（SUM）］, 在Y方向偏离的位置△Y=［d×V（B-T）］/［2×V（SUM）］，其中d为芯片的宽度7mm, 当激光照在器件的中心位置时，△X =△Y =0。即可。此方法可以用于精确控制打印头的高度。激光可以采用400-1100nm的所有激光×器，建议使用可见光的波段（红光），这样在调试时，容易对准。模块可以设置对准标志的4个指示灯，用于对准调试。
图2 接口定义图
最大额定值The absolute values
参数名称 符号 最小值 最大值 单位
工作温度 TOP -20 80 ℃
储存温度 Tstg -20 100 ℃
探测器偏压 VR 0 15 V
芯片电源电压 VS ±4.5V ±18V V
焊接温度 Stemp 260 ℃
光电特性参数Electro-optical characteristic@22℃
参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输出电压 VO +VS-3 V
-VS-3 V
输出电流限制 IO VS=±15V；VR=0V 25 mA
电压转换率 VS=±15V；VR=0V 10 V/μs
理论噪声 VS=±15V；VR=0V 15 nV/√Hz
当用1毫瓦680nm激光器时，输出V（L-R）、V（B-T）的电压范围0-4V。注意事项
器件在低反向偏压条件下工作，电压不要加得过高。
使用中防止剧烈震动、冲击，以免光窗损坏。
在贮运、使用过程中必须采取静电防护措施，以免器件失效。
电压可以加0-20V，建议使用低偏压，0V也可以
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