本帖最后由 雪中漫步 于 2013-12-5 17:17 编辑
加热体控制电路，1、加热体使用交流市电，加热体是铝铸件，2、加热体控制部分采用可控硅，利用单片机IO口进行控制，3、温度采集部分铂电阻采用桥式电路，利用AD进行采集，铂电阻密封在加热体外表面。
要求在加热时精度比较高，在1℃之内，但是出现的问题是，当开启加热后，加热体内部的温度传到铂电阻的时间有延迟，造成了在开启和关闭可控硅的时候，温度有很大延迟，造成了温度的不可控情况。想问一下有什么好的解决方法。求大神们多多指教。。
目前想到的解决方法是：1、将铂电阻放置到加热体内部，进行加热体打孔，但是由于加热体内部不能打孔，所以否决。2、采用直流供电加热体，但是由于功率问题，否决。
增加PID算法的主要问题是：1、如果使用单纯的PID算法，PWM控制输出，但是真正的参数值是靠的经验值，即需要反复测试最终确定，但是当外界环境变化较大时，就会出现参数不合适的问题，严重会引起震荡。2、而要完成参数自动调节，则需要 其他的一些辅助算法，就造成了运算量很大，而且由于可变量太多，在自调节过程中会出现一些问题，而且不够成熟。 |
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