发新帖我要提问
返回列表
打印
[开关电源]

MOS管的RCD吸收回路电阻电容位置

[复制链接]
4481|5
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
等待三天|  楼主 | 2013-11-29 10:40 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 回路, 电阻电容, CD, rc
我想请教一下.我用UC3843这种电流控制芯片来做BOOST电路，我看到TI的典型应用电路中,吸收回路是并联在MOS管漏极和地之间的,而另一个资料介绍flyback吸收回路时,明确提出,吸收回路要放在MOS管漏极和源极之间。请问，RCD到底该放在哪个位置呢~

使用特权

评论回复 赏

相关帖子
沙发
oneday45| | 2013-11-29 10:56 | 只看该作者
自己分析一下两种拓扑的工作原理和特性就知道了。

使用特权

评论回复 赏
板凳
不亦心| | 2013-11-29 15:55 | 只看该作者
实际上作用是一样的，只不过“另一个资料”考虑的更细致一点，避免Power MOS turn on的时候snubber capacitor放电产生尖峰触发CS保护。
IC一般内置前沿消隐或外置消隐电路，基本可以避开此尖峰，直接接到地也可以。
====================================================
LZ把“另一个资料”共享了吧。。。:lol

使用特权

评论回复 赏
地板
puchuang| | 2013-11-29 18:56 | 只看该作者
资料不错     可以共享一下吗    楼主     

使用特权

评论回复 赏
5楼
edison-wu| | 2014-1-26 16:46 | 只看该作者
请问下，这个电路有两个吸收电路。。为什么要两个,一个不就可以了嘛？

使用特权

评论回复 赏
6楼
woshansi| | 2014-1-26 16:57 | 只看该作者
不知道，帮忙顶一下

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

等待三天

40

主题

64

帖子

0

粉丝